単結晶傾斜基板上へのエピタキシ-を用いた有機分子の集合状態の制御

在单晶倾斜基板上利用外延控制有机分子的组装状态

• 批准号: 07750006
• 负责人: 島田 敏宏
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750006/
• 关键词: 有機分子; エピタキシ-; 傾斜基板; 反射高速電子線回折; 水素終端化シリコン表面; 一次元秩序; 有機超薄膜

単結晶の微傾斜面上に規則的に配列したステップおよびテラスを利用して有機分子のヘテロエピタキシャル成長を行う手法を開発することを目的として研究を行った。傾斜基板上に成長した有機分子は低速電子線に弱いことが明かになったため、反射高速電子線回折上において、電子線入射方位角を連続的に走査して二次元回折強度を得る新しい手法/装置を開発し、構造解析が容易に行えるようになった。この手法を用いて、水素終端化Si(III)上への金属フタロシアニンエピタキシャル膜の組織的な構造解析を行った。分子形状の効果を調べるため、平面正方形型の銅フタロシアニン(CuPc)と、四角錐型の酸化バナジウムフタロシアニン(VOPc)について行った実験の結果は以下の通りである。まず、水素終端化Si(III)(2〜7度)の微傾斜面には1原子層高さのステップが規則的に存在することが確認された。これらの面の上に成長したVOPcは、一次元秩序を持っており、基板の傾斜度によって一次元秩序の強さが異なる。CuPcの成長膜には一次元秩序はほとんど存在しないが、基板と膜の対称性の違いによって生じる多ドメイン化が抑制される。多ドメイン化の抑制は、基板上に規則的に存在するステップが結晶核形成に寄与することを示している。成長条件や基板の傾斜角を選ぶことによって、従来エピタキシャル成長しなかった分子のエピタキシャル成長を行う、分子スケールでのグラフォエピタキシ-につながることが期待される。また、ステップに平行な一次元秩序の形成には、色素分子の励起子の集団励起など新物性が期待されるため、継続的に実験を進めている。

The configuration of the rule on the micro-slope is related to each other. The mobile phone is used to conduct research in order to achieve the goal of growing up through the use of organic molecules. The growth of organic molecules on the inclined substrate, the low-speed power lines, the low-speed power lines, the reflection high-speed power lines, the incident azimuth link, and the quadratic return strength of the incident azimuth link on the inclined substrate are very important, and the analysis system is easy to operate. The method was used to analyze the structure of the membrane tissue on the Si (III). Molecular shape, square shape, The existence of the Si (III) (2-7 degree) micro-bevel (2-7-degree) micro-bevel 1-atom height gradient rule confirms that there is an error in the rule. On the surface, the growth of the VOPc, the order of the first dimension, the slope of the substrate, the order of the first dimension, and the slope of the substrate. In the CuPc system, the first order is that the substrate film is symmetrical, and the substrate is sensitive to the growth of the film. The existence of the rules on the substrate, the existence of the rules on the substrate, and the formation of the nucleation of the rules on the substrate are sent to show that the rules are not valid. In terms of growth conditions, the growth conditions of the substrate are selected, and the growth conditions are selected. In the future, the growth rate of the substrate is very high, and the growth rate of the substrate is very high. In parallel with each other, one-dimensional order is formed, and the exciter set of pigment molecules is used to stimulate the development of new physical properties and the improvement of physical properties.

项目成果

Akira Suzuki, Toshihiro Shimada and Atsushi Kona: "Patterning of Epitatial Organic Films by selective Epitatial Growth" Jpn. J. of Appl. Phys. (印刷中). (1996)

Akira Suzuki、Toshihiro Shimada 和 Atsushi Kona：“通过选择性外延生长形成外延有机薄膜”，J. of Appl（出版中）。

Toshihiro Shimada, Akira Suzuki, Takafumi Sakurada and Atsushi Kona: "Epitatial Growth of Metal Phthalocyarines on hydrogen terminated Vicinal Surfaces of Si(III)" Appl. Phys. Lett.(印刷中). (1996)

Toshihiro Shimada、Akira Suzuki、Takafumi Sakurada 和 Atsushi Kona：“金属酞菁在 Si(III) 邻位表面上的外延生长”Appl。