異常分散X線反射率法による超薄膜の電子密度深さ分布

使用反常色散X射线反射法测量超薄膜中电子密度的深度分布

• 批准号: 07750032
• 负责人: 坂田 修身
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750032/
• 关键词: 異常分散; X線反射率; 超薄膜; 電子密度分布

異常分散X線反射率法とシンクロトロン放射X線を組み合わせて、超薄膜の電子密度深さ分布をモデルを仮定せずに決定した。試料としてGe単結晶上に(設計値Al30Å,C70Åの)1層及び3層を蒸着したものを用い、2種類の波長(Ge吸収端波長1.117Åとそこから離れた波長1.3Å)においてX線反射率曲線を測定した。それぞれの試料について、2個の反射率曲線をフーリエ変換して、薄膜中の電子密度深さ分布を得た。その分布はAlで山,Cで谷を示した。1層膜の試料では、(1)Al約30Å,C約30Åの膜厚、(2)AlとCの電子密度の遷移層が約13Å、(3)Al,Cの電子密度の値はバルクの値とほぼ同じであることが分かった。3層膜の試料では、(1)得られた膜厚を基板と反対側(つまり上側)から記述すると、Al約30Å,C約30Å,Al約60Å,C約30Å,Al約60Å,C約30Å(2)上の2組のAl,Cはバルクのそれぞれの電子密度の約65%と約70%であるのに対し、3組目のAl,Cはそれぞれ約85%,約30%,(3)Al,Cの界面で約10Åの電子密度遷移層があること(4)Alの電子密度プロファイルに微細構造があることが分かった。また、本方法で得た電子密度分布から実験反射率をほぼ完璧に復元できる。しかし通常の1波長の反射率データからモデルを仮定してフィットしたデータからは実験反射率曲線を不完全にしか復元できなかった。

The X-ray reflectance method is often dispersed, and the X-ray reflectance method is used to determine the density distribution of ultra-thin film electrons. The material Ge results show that the reflectivity curve of the X-ray line is measured by the measurement of the reflectivity curve of the X-ray line in the temperature range of 1 and 3 (Al30, C70), and the wave length of the Ge absorption end is 1.117 nm and the wave length of the Ge absorption end is 1.3 nm. The electron density distribution in the film is very high, and the reflectivity curves of the two reflectivity curves are high. The mountains are distributed in Al, and the valleys are shown in C. (1) Al is about 30 nm, C is about 30 nm, (2) Al

项目成果

T.Ohkawa,Y.Yamaguchi,O.Sakata et al.: "Anomalous dispersion X-ray reflectometry for model-independent determination of Al/C multilayer structures" Physica B. (in press).

T.Ohkawa、Y.Yamaguchi、O.Sakata 等人：“用于模型独立测定 Al/C 多层结构的反常色散 X 射线反射计”Physica B.（出版中）。