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HIVインテグラーゼ阻害剤の開発

HIV整合酶抑制剂的开发

基本信息

批准号：
10180218
负责人：
麻生真理子
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10180218/
关键词：
HIV-1インテグラーゼリジンラクタム

项目摘要

酵素と基質となるウイルスDNAとの特異的結合に重要であるリジン残基を修飾することにより酵素のDNA結合能を低下させるという戦略によりHIVインテグラーゼの阻害剤を開発することを目的とし、アミンを効率良く修飾する活性基を基質となるオリゴヌクレオチド21merや、高い酵素結合能が報告されているヌクレオチド誘導体に組み込み、酵素反応を行い、阻害剤としての活性を検討を計画した。2,5-dimethoxy-2,5-dihydrofurfuryl alcohol(1)のリン酸エステルを3'末端に有するデオキシアデノシン誘導体(pA)、デオキシシチジン誘導体(pC)、デオキシアデニルデオキシシチジン誘導体(pApC)を合成した。また1をチミジンの3'末端に導入したホスホルアミダイト試薬を合成し、酵素反応の基質21mer5'-GTG TGG AAA ATC TCT AGC AGC AGT-3'とその相補鎖3'-CAC ACC TTT TAG TCG TCA-5'のTの位置に組み込んだ。pA、pCは酸加水分解後中性条件下高収率でアミンを修飾し、ラクタム体を与えた。1を導入した21merはギ酸で加水分解後アミンと反応し30%程度の収率でラクタム体を与えた。現在用いているHIV-1インテグラーゼはヌクレアーゼが混在しているが、pA(1.8mM)とHIV-1インテグラーゼを室温で反応させた後、基質21merと反応させたところ21merのバンドのみが検出され、混在するヌクレアーゼと共に21merから19merを生成するインテグラーゼが阻害されたと考えている。今後純度の高いインテグラーゼを用いると共に、選択的阻害を目指し他の基質を検討する予定である。

Enzyme substrate and DNA specific binding important, such as the enzyme DNA binding energy low, such as the HIV gene inhibitor development, such as the purpose, such as the enzyme activity rate good modification of the active group substrate, such as the enzyme DNA binding energy high, such as the enzyme binding energy high, such as the enzyme DNA binding energy high, The enzyme activity was investigated. 2,5-dimethoxy-2,5-dihydrofuryl alcohol(1) was synthesized from pA, pC, and pApC at the 3'terminal of the amino acid sequence. The 3'end of the 1-mer chain was introduced into the 3' end of the chain, and the enzyme reaction substrate 21mer5'-GTG TGG AAA ATC TCT AGC AGT-3' and the 3'-CAC ACC TTT TAG TCG TCA-5' T was synthesized. pA, pC, pA, pA, pC, pA, p 1. Introduction of 21-mer acid and hydrolysis of 30% of the reaction rate Now, when HIV-1 is mixed with pA(1.8 mM) and HIV-1 is mixed with pA at room temperature, the matrix 21 mer is mixed with pA(1.8 mM) and HIV-1 is mixed with pA at room temperature. In the future, high purity and high purity materials will be used together, and the resistance of the selected materials will be discussed.