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π共役系配位子錯体の積層構造制御により構築される磁性導電体の研究

控制π共轭配体配合物堆积结构构建磁导体的研究

基本信息

批准号：
11224201
负责人：
稲辺保
金额：
$ 16.06万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

13年度の成果は以下の通りである。・フタロシアニン(Pc)系:軸配位子を導入した一次元導電体であるTPP[Fe^<III>(Pc)(CN)_2]_2の巨大な負の磁気抵抗が見いだされ、その大きな異方性と、磁化率の異方性との相関から、特異なπ-d相互作用が働いていることが示唆されていたが、その起源はまだ明確になっていなかった。部分酸化塩のESR信号は検知することができなかったが、単純塩及びそのCo(III)との固溶体を用いることで、Fe(III)の信号の検知に成功し、そのg因子が非常に大きな異方性を持つことが初めて明らかになった。従って、磁気モーメントの大きな方向に外部磁場が印加されたとき、磁気モーメントの整列が顕著になり、伝導電子のスピン散乱が押さえられ、負の磁気抵抗が現れると解釈できる。この研究と平行して、π電子系の拡張についても検討し、ナフタロシアニン(Nc)系を取り上げた。異性体の分離が必要な1,2-Ncについては、単離法を開発し、軸配位子をもつCo(III)錯体の部分酸化塩の開発に成功した。また、2,3-Ncについては導電性の中性ラジカル結晶を得、その電気伝導度の圧力依存性を調べた。両系ともクーロン反発効果が物性に大きく影響することが明らかとなった。・Ni(dmit)_2及びET系:スピンラダー構造となる新たなNi(dmit)_2塩を見いだした。また、この系へのドーピングの可能性を調べるために水素結合型カチオンとの塩を合成し、カチオンがある構造で配列したときプロトン欠陥が生じ、電気伝導度が著しく向上することが明らかとなった。また、ET系に局在磁気モーメントを導入した新規導電性結晶を作成し、その電気物性が圧力により非常に敏感に変化することを明らかにした。

The results of the 13th year are as follows: The system of Pc is: the introduction of axial ligand into the primary elementary conductor TPP[Fe^<III>(Pc)(CN)_2]_2, the large negative magnetic resistance, the large anisotropy, the anisotropy of magnetic susceptibility, the correlation, the specificity, the π-d interaction, the origin, and the origin. The ESR signal of partial acidification is detected successfully in the solid solution of Co(III) and Fe(III), and the g factor is very large. The external magnetic field in the large direction of the magnetic field, the magnetic field, the whole array of the magnetic field, the scattering of the conductive electrons, the negative magnetic field resistance, etc. The study of parallel and π electron systems is carried out in the following ways: The separation of heteromorphs was necessary for the development of 1,2-Nc, and the partial acidification of Co(III) complexes was successfully developed. 2, 3-Nc-N-N-N The effect of the reaction on the physical properties of the system is obvious. Ni(dmit)_2 and ET are new structures. In addition, the possibility of the formation of the system is adjusted, and the structure of the system is arranged, and the conductivity of the system is increased. In addition, the electric conductivity of the crystal is very sensitive to the pressure.