Dielectric layers and contact metals for organic field effect transistors

有机场效应晶体管的介电层和接触金属

• 批准号: 5305106
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Elektrotechnik und Informationstechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5305106?language=en
• 关键词: Dielectric; layers; contact; metals; organic

Die stetige Entwicklung zu kontinuierlich sinkenden Preise für elektronische Schaltungen und Sensoren stellt eine neue Herausforderung für die Mikroelektronik dar. Es besteht das Bestreben, das vergleichsweise teure Material Silizium durch preisgünstigere Kunststoffe im Herstellungsprozess von Bauelementen zu ersetzen. Vor diesem Hintergrund soll im Rahmen dieses Forschungsvorhabens ein organischer Insulated-Gate-Transistor (IGFET) mit neuen dielektrischen Schichten auf einem kostengünstigen Kunststoffsubstrat entwickelt, hergestellt und charakterisiert werden, wobei insbesondere die technologischen Aspekte der dielektrischen Isolation der Gateelektrode und der Kontaktierung der organischen Materialien im Vordergrund stehen. Die Leistungsfähigkeit der neu zu entwickelnden Technologie soll im Rahmen eines Folgeantrags durch die Fertigung eines Matrixdisplays demonstriert werden. Dazu sind die IGFET mit den im Rahmen eines anderen Projektes entwickelten und erfolgreich hergestellten organischen Leuchtdioden in einem Prozess zu integrieren.

Die stetige Entwicklung zu kontinuierlich sinkenden Preise für elektronische Schaltungen und Sensoren stelt eine neue Herausforderung für die Mikroelektronik dar.最好的是，硅材料通过在包装过程中的精密加工而变得非常简单。本文研究了一种具有新型介电层的绝缘栅晶体管（IGFET），该器件具有良好的结构、强度和韦尔登特性，其主要技术特点是栅电极介电层隔离和材料的异质性。新技术的发展需要通过生产矩阵来实现，这是韦尔登的展示。大足是IGFET的一个分支，它在一个完整的过程中完成了一个项目，并完成了一个有机的发光二极管。