Dielectric layers and contact metals for organic field effect transistors

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Die stetige Entwicklung zu kontinuierlich sinkenden Preise für elektronische Schaltungen und Sensoren stellt eine neue Herausforderung für die Mikroelektronik dar. Es besteht das Bestreben, das vergleichsweise teure Material Silizium durch preisgünstigere Kunststoffe im Herstellungsprozess von Bauelementen zu ersetzen. Vor diesem Hintergrund soll im Rahmen dieses Forschungsvorhabens ein organischer Insulated-Gate-Transistor (IGFET) mit neuen dielektrischen Schichten auf einem kostengünstigen Kunststoffsubstrat entwickelt, hergestellt und charakterisiert werden, wobei insbesondere die technologischen Aspekte der dielektrischen Isolation der Gateelektrode und der Kontaktierung der organischen Materialien im Vordergrund stehen. Die Leistungsfähigkeit der neu zu entwickelnden Technologie soll im Rahmen eines Folgeantrags durch die Fertigung eines Matrixdisplays demonstriert werden. Dazu sind die IGFET mit den im Rahmen eines anderen Projektes entwickelten und erfolgreich hergestellten organischen Leuchtdioden in einem Prozess zu integrieren.