Feldeffekttransistoren mit nanoskaligen Halbleiterpartikeln

Das Gesamtziel des Forschungsvorhabens ist芯片集成von Feldeffekt-Transistoren，请务必使用Aus einzelnen Nanoskaligen kristallinen Halbleiterartikeln，auf Folien subsidien für eine Flexual Flektronik。我的项目是从金属隔离器到纳米金属隔离器。在GräBen wird anschlieçeine end eine stark begrenzte Anzahl von Silizium-Halbleiterkristal Hten Mit Passendem m DurchMesser eingefüllt.这是一种自动操作，也是一种特殊的操作方式。Zusamman MIT Dm Silizium Subsim ALS Steuerelektrode and einer dünnnen dielektrischen Schicht unterhalb der Elektred dielektrischen dilektrischen De Elektroden Billischen dilektrischen Schicht unterhalb der这句话的意思是：费尔德菲克特的杰多克和他的纳赫格维森在一起。本文介绍了硅酸锌和氧化锌-纳米硅纳米材料的研究现状。Anschlieüend is ein Austausch des TrägerMaterial Silizium manch ein isolierendes abatat(Glas，Folien等)基板，苏打自由，自适应晶体管在底栅，在顶栅-结构ZUR分析和。

Das Gesamtziel des Forschungsvorhabens ist die Integration von Feldeffekt-Transistoren, bestehend aus einzelnen nanoskaligen kristallinen Halbleiterpartikeln, auf Foliensubstraten für eine flexible „low-cost Elektronik. Im Projekt wird dazu auf einem Isolator eine geschlossene Metallschicht durch nanoskalige Gräben aufgetrennt. In diese Gräben wird anschließend eine stark begrenzte Anzahl von Silizium-HalbleiterkristalHten mit passendem Durchmesser eingefüllt. Dabei bilden sich automatisch zwei Kontakte, die eine elektrische Charakterisierung der Partikel ermöglichen. Zusammen mit dem Siliziumsubstrat als Steuerelektrode und einer dünnen dielektrischen Schicht unterhalb der Elektroden bilden die Nanokristallite und die Metallkontakte eine Feldeffekt-Transistorstruktur, deren Eigenschaften bislang unbekannt sind. Eine Eignung der Struktur und ein entsprechender Feldeffekt konnten jedoch bereits nachgewiesen werden. Transistoren mit einkristallinen Silizium-Nanopartikeln, aber auch aus Germanium- und Zinkoxid-Nanopartikeln als aktives Material sollen hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften analysiert werden. Anschließend ist ein Austausch des Trägermaterials Silizium durch ein isolierendes Substrat (Glas, Folien, etc.) geplant, sodass frei beschaltbare Transistoren in Bottom-Gate- oder Top-Gate-Struktur zur Analyse anstehen.