Feldeffekttransistoren mit nanoskaligen Halbleiterpartikeln

Das Gesamtophabens des Forschungsvorhabens is die Integration von Feldeffekt-Transistoren，bestehire aus einzelnen nanoskeligen kristallinen Halbleiterpartikeln，auf Foliensubstraten für eine flexible“low-cost Elektronik. Im Projekt wird dazu auf einem Isolator eine geschlosophy Metallschicht durch nanoskelige Gräben aufgetrennt.在这座教堂里，一个由硅半导体晶体制成的坚固的安扎尔带着一个经过的Durchmesser。Dabei bilden sich automatisch zwei Kontakte，die eine elektrische Charakterisierung der Partikel ermöglichen.使用硅衬底作为控制电极和一个dünnen dielektrischen Schicht，可以使电极形成纳米晶体管和金属晶体管结构，从而使本征值变得更小。一个结构的整体和一个中间的感觉可以让你得到韦尔登。采用硅纳米粒子的晶体管，也可采用锗纳米粒子和氧化锌纳米粒子作为有源材料，可用于韦尔登。Anschließend is ein Austausch des Trägermaterials Silizium durch ein isolierendes Substrat（Glas，Folien，etc.）在此基础上，对底栅和顶栅结构的自由晶体管进行了分析。

Das Gesamtziel des Forschungsvorhabens ist die Integration von Feldeffekt-Transistoren, bestehend aus einzelnen nanoskaligen kristallinen Halbleiterpartikeln, auf Foliensubstraten für eine flexible „low-cost Elektronik. Im Projekt wird dazu auf einem Isolator eine geschlossene Metallschicht durch nanoskalige Gräben aufgetrennt. In diese Gräben wird anschließend eine stark begrenzte Anzahl von Silizium-HalbleiterkristalHten mit passendem Durchmesser eingefüllt. Dabei bilden sich automatisch zwei Kontakte, die eine elektrische Charakterisierung der Partikel ermöglichen. Zusammen mit dem Siliziumsubstrat als Steuerelektrode und einer dünnen dielektrischen Schicht unterhalb der Elektroden bilden die Nanokristallite und die Metallkontakte eine Feldeffekt-Transistorstruktur, deren Eigenschaften bislang unbekannt sind. Eine Eignung der Struktur und ein entsprechender Feldeffekt konnten jedoch bereits nachgewiesen werden. Transistoren mit einkristallinen Silizium-Nanopartikeln, aber auch aus Germanium- und Zinkoxid-Nanopartikeln als aktives Material sollen hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften analysiert werden. Anschließend ist ein Austausch des Trägermaterials Silizium durch ein isolierendes Substrat (Glas, Folien, etc.) geplant, sodass frei beschaltbare Transistoren in Bottom-Gate- oder Top-Gate-Struktur zur Analyse anstehen.