Development of a four-tip scanning tunneling microscope and study on surface electrical conduction at mamometer scales

四端扫描隧道显微镜的研制及乳房计尺度的表面电导研究

基本信息

  • 批准号:
    12355003
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 27.46万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2002
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

We have developed an independently driven four-tip scanning tunneling microscope in ultrahigh vacuum, which enables four-probe electrical conductivity measurements at nanometer scales.(1) We have measured the electrical resistance of Si(111)-7×7 clean and -√<3>×√<3>-Ag surfaces by changing the probe spacing from 1μm to 1mm. It has turned out that the surface sensitivity in resistance measurements greatly increases by reducing the probe spacing less than 10μm. From the probe-spacing dependence of the resistance, it is found that the 7×7 surface exhibits a three-dimensional electrical conduction, while the √<3>×√<3>-Ag surface has a two-dimensional character.(2) We have devised a 'square-four-point probe method' to detect the anisotropy in two-dimensional conductors, in which the four tips are arranged in square. With this method, we have measured the conductivity of a quasi-one-dimensional metallic surface, Si(111)-4×1-In, revealing that the anisotropy is as large as 70.(3) We have measured the conductance of single carbon nanotubes, by selecting and picking up them by two of the four tips. The results show an interesting feature of conductance.
我们研制了一种独立驱动的四探针扫描隧道显微镜,它可以在纳米尺度上进行四探针电导率测量。(1)我们测量了Si(111)-7 7清洁表面和Si(111)<3><3>× Ag清洁表面的电阻,探针间距从1μm到1 mm。结果表明,将探针间距减小到10μm以内,可大大提高电阻测量的表面灵敏度。从电阻与探针间距的关系可以看出,7×7表面具有三维导电性,而10 <3>× 10<3>-Ag表面具有二维导电性. (2)我们设计了一种探测二维导体各向异性的“正方形四探针法”,其中四个探针呈正方形排列。用这种方法,我们测量了准一维金属表面Si(111)-4 1-In的电导率,发现其各向异性高达70。(3)我们已经测量了单个碳纳米管的电导,通过选择和拾取它们的四个尖端中的两个。结果显示了电导的一个有趣的特征。

项目成果

期刊论文数量(56)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
I.Shiraki, F.Tanabe, R.Hobara, T.Nagao, S.Hasegawa: "Independently driven four-tip probes for conductivity measurements in ultrahigh vacuum"Surface Science. 493. 633-643 (2001)
I.Shiraki、F.Tanabe、R.Hobara、T.Nagao、S.Hasekawa:“用于超高真空电导率测量的独立驱动四尖探头”表面科学。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Morikawa, I.Matsuda, S.Hasegawa: "STM observation of Si(111)-α-√<3>×√<3>-Sn at low temperature"Physical Review. B65. 201308R (2002)
H.Morikawa、I.Matsuda、S.Hasekawa:“低温下 Si(111)-α-√<3>×√<3>-Sn 的 STM 观察”物理评论 B65。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
G.Le Lay, A.Cricenti, C.Ottaviani, P.Perfetti, T.Tanikawa, I.Matsuda, S.Hasegawa: "Evidence of asymmetric dimers down 40 K at the clean Si(100) surface"Physical Review. B66. 153317 (2002)
G.Le Lay、A.Cricenti、C.Ottaviani、P.Perfetti、T.Tanikawa、I.Matsuda、S.Hasekawa:“干净的 Si(100) 表面上不对称二聚体下降 40 K 的证据”物理评论。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
S.V.Ryjkov, T.Nagao, V.G.Lifshits, S.Hasegawa: "Phase transition and stability of Si(111)-8×'2'-In surface phase at low temperatures"Surface Sci.. 488. 15-22 (2001)
S.V.Ryjkov、T.Nagao、V.G.Lifshits、S.Hasekawa:“低温下 Si(111)-8×2-In 表面相的相变和稳定性”Surface Sci.. 488. 15-22 (2001)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
I.Matstuda,H.W.Yeom,T.Tanikawa,T.Nagao,S.Hasegawa,: "Growth and electron quantization of the metastable silver films on Si (001)"Physical Review B. (印刷中).
I. Matstuda、H. W. Yeom、T. Tanikawa、T. Nagao、S. Hasekawa,:“Si (001) 上亚稳态银薄膜的生长和电子量子化”物理评论 B.(出版中)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

HASEGAWA Shuji其他文献

からくり玩具パタパタ(ヤコブの梯子)の力学模型
机械玩具Papatata(雅各布的梯子)的机械模型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    AKIYAMA Ryota;TAKASHIRO Takuya;KURODA Shinji;HASEGAWA Shuji;和田浩史
  • 通讯作者:
    和田浩史
Concerted Effects of Topological Insulators and Ferromagnetism
拓扑绝缘体和铁磁性的协同效应
  • DOI:
    10.1380/vss.66.28
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    AKIYAMA Ryota;TAKASHIRO Takuya;KURODA Shinji;HASEGAWA Shuji
  • 通讯作者:
    HASEGAWA Shuji

HASEGAWA Shuji的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('HASEGAWA Shuji', 18)}}的其他基金

Development of English Teaching Materials for Elementary School Foreign Language Activities
小学外语活动英语教材的开发
  • 批准号:
    26370673
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of Milli-Kelvin Micro-Four-Point Probe Method andResearch of Monolayer Superconductors
毫开尔文微四点探针法的发展及单层超导体的研究
  • 批准号:
    22246006
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Diluted magnetic surface states on semiconductor crystals and its application to spintronics
半导体晶体的稀磁表面态及其在自旋电子学中的应用
  • 批准号:
    19206006
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of Green's Function STM and Application to Study of Nano Electronic Transport Dynamics
格林函数STM的发展及其在纳米电子输运动力学研究中的应用
  • 批准号:
    15106001
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Study on local surface electrical conduction by scanning microscopic four-point probes in ultrahigh vacuum
超高真空中显微四点探针扫描局部表面电导研究
  • 批准号:
    13305004
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
SURFACE ELECTRONIC TRANSPORT
地面电子运输
  • 批准号:
    11694059
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
Electronic transport properties of surface-state bands on semiconductors
半导体表面态带的电子输运特性
  • 批准号:
    10650025
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of scanning TRAXS and its application to studies of surface dynamics
扫描TRAXS的发展及其在表面动力学研究中的应用
  • 批准号:
    10555007
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Atomic-scale structure control of silicon-metal interface and its macroscopic functional properties
硅-金属界面的原子尺度结构调控及其宏观功能特性
  • 批准号:
    05452101
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
Development of high resolution TRAXS and its applications to surface science
高分辨率 TRAXS 的开发及其在表面科学中的应用
  • 批准号:
    03554007
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 27.46万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了