Spontaneous polarisation in (Al,Ga,In)N heterostructures

(Al,Ga,In)N 异质结构中的自发极化

• 批准号: 5306996
• 负责人: Professor Dr. Andreas Hangleiter
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5306996?language=en
• 关键词: Spontaneous; polarisation; Al; Ga; heterostructures

Die Nitride der Gruppe III-Elemente Al, Ga und Indium sind als direkte Halbleiter mit Bandlücken im sichtbaren bis ultravioletten Spektralbereich als Basis für optoelektronische Bauelemente und Hochtemperatur-Elektronik interessant. Nach theoretischen Rechnungen werden starke piezoelektrische und spontane Polarisationseffekte erwartet. Ein starker Einfluß piezoelektrischer Felder auf die optischen Eigenschaften von Quantenfilmen sowie auf Feldeffekt-Transistoren ist experimentell erwiesen. Erste Experimente zeigen aufgrund der spontanen Polarisation einen Zusammenhang zwischen Oberflächenbelegung und elektrischem Feld im Volumen, nachgewiesen durch optische Eigenschaften eines Quantenfilms im Inneren. Durch kontrollierte Präparation der Oberfläche mittels Elektronenbestrahlung sowie im Ultrahochvakuum soll dieser Zusammenhang detailliert aufgeklärt und die spontane Polarisation quantitativ bestimmt werden.

第三族元素Al、Ga和In的氮化物在紫外光和紫外光光谱中具有直接的半导体特性，是光电子器件和高温电子器件的基础。在理论研究中，韦尔登发现了压电和自发极化效应。一个明显的影响压电传感器的光纤传感器对光纤晶体管的光学特性的影响是实验性的。第一次实验是通过光学特性测量内部的量子薄膜，在体积内测量光学薄膜和费尔德电场的自发极化。在超高压真空中，通过电子束进行外部控制的准备工作必须详细进行，并对自发极化进行定量韦尔登。