Unterdrückung nichtstrahlender Rekombination in UV-emittierenden Quantenfilmen auf GaN/AlGaN-Basis

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Während Quantenfilme auf der Basis von GaInN/GaN trotz der hohen Defektdichte in heteroepitaktischen Schichten für LED¿s eine hohe Quantenausbeute zeigen, sind In-freie Quantenfilme auf GaN/AlGaN-Basis bisher weit weniger hell. Mit Hilfe von spektroskopischer Nahfeldmikroskopie, zeitaufgelöster Spektroskopie, sowie Quantenausbeute-Messungen sollen die mikroskopischen optischen Eigenschaften und die Auswirkungen von Defekten auf die Rekombinationseigenschaften von UV-emittierenden GaN/AlGaN-Quantenfilmen untersucht werden. Besonders die mögliche Rolle von V-Defekten, die bei GaInN/GaN-Strukturen eine zentrale Rolle spielen, steht im Mittelpunkt des Interesses. Das daraus resultierende bessere Verständnis soll als Basis für die Optimierung der Strukturen dienen.