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Spontane Rekombination und optische Verstärkung in (Al, Ga, In)N-Heterostrukturen

Spontane Rekombination und optische Verstärkung in (Al, Ga, In)N-Heterostrukturen
(Al, Ga, In)N 异质结构中的自发复合和光放大
批准号：
5258832
负责人：
Professor Dr. Andreas Hangleiter
金额：
$0.0万
依托单位：
Institut für Angewandte Physik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
1997
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
1996-12-31 至 1999-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5258832?language=en
关键词：
SpontaneRekombinationundoptischeVerst

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Excitonic recombination processes in III-nitride quantum wells
  • 批准号：
    392680433
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Professor Dr. Andreas Hangleiter
  • 依托单位：
    Institut für Angewandte Physik
High-Indium-content nonpolar quantum wells for green, yellow, and red light emitters
  • 批准号：
    72537150
  • 项目类别：
    Research Units
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Professor Dr. Andreas Hangleiter
  • 依托单位：
    Institut für Angewandte Physik
Unterdrückung nichtstrahlender Rekombination in UV-emittierenden Quantenfilmen auf GaN/AlGaN-Basis
  • 批准号：
    31885403
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    Professor Dr. Andreas Hangleiter
  • 依托单位：
    Institut für Angewandte Physik
Spontaneous polarisation in (Al,Ga,In)N heterostructures
  • 批准号：
    5306996
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    Professor Dr. Andreas Hangleiter
  • 依托单位：
    Institut für Angewandte Physik
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