Rekombinationsprozesse und lokale elektronische Eigenschaften in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen

氮化物与集团III-元素铝，镓和铟和铝元素，镓和铟的金属卤素金属和金属光谱分析的基础是光电工和电工机械。在稳定Wurtzit-Modifikation Tritt nach理论的基础上，提出了一种新型的自极化方法。我们有自己的国家，也有最好的选择。在此基础上，提出了一种新的解决方案。从机械上看，这是一种新的融合方式，也是一种新的方式。

Die Nitride der Gruppe III-Elemente Al, Ga und Indium sind als direkte Halbleiter mit Bandlücken im sichtbaren bis ultravioletten Spektralbereich als Basis für optoelektronische Bauelemente und Hochtemperatur-Elektronik interessant. In der stabilen Wurtzit-Modifikation tritt nach theoretischen Rechnungen sowohl eine piezoelektrische wie auch eine spontane Polarisation auf. Diese haben einen dominierenden Einfluß auf die optischen Eigenschaften von Heterostrukturen und Quantenfilmen. Die piezo- und pyroelektrischen Effekte soll unterschieden und ihr Einfluß auf die Rekombinationseigenschaften sowie die optische Verstärkung bestimmt werden. Besonderes Augenmerk soll auch die Frage des Mechanismus der nichtstrahlenden Rekombination und ein möglicher Zusammenhang dieses Mechanismus mit den Polarisationsfeldern erhalten.