Rekombinationsprozesse und lokale elektronische Eigenschaften in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen

(Al,Ga,In)N 异质结构中的复合过程和局域电子特性

• 批准号: 5170274
• 负责人: Professor Dr. Andreas Hangleiter
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5170274?language=en
• 关键词: Rekombinationsprozesse; und; lokale; elektronische; Eigenschaften

Die Nitride der Gruppe III-Elemente Al, Ga und Indium sind als direkte Halbleiter mit Bandlücken im sichtbaren bis ultravioletten Spektralbereich als Basis für optoelektronische Bauelemente und Hochtemperatur-Elektronik interessant. In der stabilen Wurtzit-Modifikation tritt nach theoretischen Rechnungen sowohl eine piezoelektrische wie auch eine spontane Polarisation auf. Diese haben einen dominierenden Einfluß auf die optischen Eigenschaften von Heterostrukturen und Quantenfilmen. Die piezo- und pyroelektrischen Effekte soll unterschieden und ihr Einfluß auf die Rekombinationseigenschaften sowie die optische Verstärkung bestimmt werden. Besonderes Augenmerk soll auch die Frage des Mechanismus der nichtstrahlenden Rekombination und ein möglicher Zusammenhang dieses Mechanismus mit den Polarisationsfeldern erhalten.

第三族元素Al、Ga和In的氮化物在紫外光和紫外光光谱中具有直接的半导体特性，是光电子器件和高温电子器件的基础。在稳定Wurtzit-Modifikation tritt的理论研究sowohl一个压电一样，也自发极化auf。这对异质结构和量子薄膜的光学特性有着重要的影响。压电和热释电效应可被理解并影响到光学垂直韦尔登的再组合。因此，Augenmerk也是一种非直接结合的机制，并且这种机制与极化机制有着密切的联系。