Morphologie und elektronische Struktur von organischen Schichten in Feld-Effekt-Transistoren

点击翻译按钮获取中文摘要

Aufbauend auf den bisherigen Erfahrungen sollen drei, für die Eigenschaften organischer FETs zentrale Themenkomplexe bearbeitet werden: a) Optimierung und detaillierte Charakterisierung des Wachstums dünner organischer Schichten auf Isolatoroberflächen mit bestmöglichen Transport parallel zur Oberfläche, b) maßgeschneiderte Herstellung von metallischen Kontakten und Charakterisierung der Metall-Organik-Grenzschicht hinsichtlich Morphologie, chemischer Wechselwirkung und elektronischer Eigenschaften (z.B. Barrierehöhen, Bandverbiegungen), und c) optimierter Aufbau von OFETs in Mikrostrukturen mittels lithographischer und selbstorganisierender Techniken. Begonnen wird mit den Punkten a) und b). Als Substrate werden anfangs amorphes SiO2/Si(100) und epitaktisches Al2O3/NiAl mit optimierter Topographie und Defektarmut zum Einsatz kommen. Als molekulare Substanzen sind stäbchen- und scheibchen-förmige polyzyklische Aromaten mit und ohne funktionellen Gruppen vorgesehen. Die Auswahl der Systeme erfolgt aufgrund der erreichten Schichtqualität und elektrischen Eigenschaften. Die Untersuchungen werden mit verschiedenen strukturellen und elektronischen Meßmethoden und in enger Zusammenarbeit mit mehreren anderen Arbeitsgruppen vorgenommen.