Morphologie und elektronische Struktur von organischen Schichten in Feld-Effekt-Transistoren

组织者：a)最优和详细的组织者特征和细节组织者组织者Schichten auf Isolatoroberflächen möglichen Transport Parly zur Oberfläche，b)最优组织者和细节组织者(Z.B.Berehöhen，Bandververegungen)，以及最优者和最优者Begonnen将在MIT Punkten a)和b)上找到。AlS衬底是非晶态的SiO_2/Si(100)和外延的Al_2O_3/NiAl MIT优化的拓扑学和Defektarmut zum einatz komman。他说：“这是一件非常重要的事情。”他说：“这是一件非常重要的事情。”在这两种情况下，我们可以找到更好的方法和方法。

Aufbauend auf den bisherigen Erfahrungen sollen drei, für die Eigenschaften organischer FETs zentrale Themenkomplexe bearbeitet werden: a) Optimierung und detaillierte Charakterisierung des Wachstums dünner organischer Schichten auf Isolatoroberflächen mit bestmöglichen Transport parallel zur Oberfläche, b) maßgeschneiderte Herstellung von metallischen Kontakten und Charakterisierung der Metall-Organik-Grenzschicht hinsichtlich Morphologie, chemischer Wechselwirkung und elektronischer Eigenschaften (z.B. Barrierehöhen, Bandverbiegungen), und c) optimierter Aufbau von OFETs in Mikrostrukturen mittels lithographischer und selbstorganisierender Techniken. Begonnen wird mit den Punkten a) und b). Als Substrate werden anfangs amorphes SiO2/Si(100) und epitaktisches Al2O3/NiAl mit optimierter Topographie und Defektarmut zum Einsatz kommen. Als molekulare Substanzen sind stäbchen- und scheibchen-förmige polyzyklische Aromaten mit und ohne funktionellen Gruppen vorgesehen. Die Auswahl der Systeme erfolgt aufgrund der erreichten Schichtqualität und elektrischen Eigenschaften. Die Untersuchungen werden mit verschiedenen strukturellen und elektronischen Meßmethoden und in enger Zusammenarbeit mit mehreren anderen Arbeitsgruppen vorgenommen.