Coherent phonons in semiconductors and semiconductor-heterostructures

点击翻译按钮获取中文摘要

Ziel des Projektes ist die Untersuchung der kohärent angeregten Gitterdynamik in Volumenhalbleitern und Halbleiterheterostrukturen. Diese Untersuchungen sollen neue Einblicke in die impulsiv stimulierte Anregung von Gitterschwingungen mit ultrakurzen Laserpulsen liefern. In Halbleiterübergittern werden kohärente akustische und optische Gitterschwingungen beobachtet. Deren Anregungsmechanismus, Zerfallsprozesse sowie die Wechselwirkung mit der simultanen elektronischen Anregung sollen experimentell und theoretisch geklärt werden. Akustische zonengefaltete Phononen mit extrem langen Lebensdauern von größer als 100 Pikosekunden werden zeitaufgelöst detektiert, so dass die Trennung von Zerfalls- und Propagationseffekten ermöglicht wird. Desweiteren wird eine zeitaufgelöste Untersuchung der Wechselwirkung kohärenter elektronischer Anregung mit kohärenten optischen und akustischen Phononen ermöglicht. In Volumenhalbleitern, deren Symmetrie-Raman-Prozesse erlaubt, sollen in Anlehnung an optische Experimente zu "squeezed states" Phonon-Paar-Zustände der Phononenbesetzung im Hinblick auf Generation, Detektion und Zerfall der korrelierten Zustände untersucht werden.