Fabrication of monolithic bidirectional switches (MBS)

单片双向开关 (MBS) 的制造

基本信息

项目摘要

Innerhalb des DFG-Schwerpunktprogramms "Halbleiterbauelemente hoher Leistung" wurde im Teilprojekt "Hochsperrende Zweirichtungsventile" der TU Braunschweig (Gruppe Prof. Sittig) eine neue Bauelementstruktur zur Patentanmeldung eingereicht. Es wird angestrebt, diesen bislang nur auf Konzeptskizzen und Simulationen basierenden MOS-gesteuerten bidirektionalen Schalter (MBS) in einer für die Halbleitertechnologie der Mikroelektronik nicht typischen, doppelseitigen Prozesstechnologie monolithisch auf intrinsischem Silizium zu erarbeiten. Im Rahmen dieser Technologie-Vorlaufstudie wird erwartet, dass die prognostizierten hervorragenden elektrischen Daten des MBS anhand von realen Bauelementmustern bestätigt werden können. Die Forschungsarbeiten erfolgen in enger Kooperation mit dem Simulationspartner TU Braunschweig, der auch die Charakterisierung der realisierten Bauelemente übernehmen wird.
DFG-Schwerpunktprogramms“Halbleiterbauelemente hoher Leistung”的核心是布伦瑞克工业大学(Sittig教授小组)的“Hochsperrende Zweirichtungsventile”项目,这是一个新的专利结构。令人担忧的是,这种基于MOS的双方向Schalter(MBS)的Konzeptskizzen和Simulationen仅仅是一种典型的微电子半导体技术,而不是一种基于内部硅的单片集成电路技术。在技术研究中,MBS的电气数据和实际部件的电气数据最好是韦尔登已知的。该研究是在与布伦瑞克的仿真合作伙伴TU的合作中进行的,也是实现Bauelemente Ubernehmen的特点。

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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