Untersuchung von Elektronen-Korrelationen und Elektron-Phonon Wechselwirkung mit Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie

参见Festkörpern fhren Korrelationen und die Kopplung der Elektronen and Phononen zeiner endlichen Lebensdauer der elektronischen Zustände。Untersuchungen mit winkelaufgelöster光电光谱（ARPES）， bedenen aus der gemessenenlinienbreite <s:2> berdie Unschärferelation t est est wurde, haben gezeigt, beß Vergleiche mit theoretischen Vorhersagen in vielen Fällen nicht sinvolvolsind, d.d.b.k ininste defktkonzentrationen die Dephasierungszeiten langlebiger Oberflächenzustände dragastisch verk<e:1> rzen。Der Einsatz einer lokalen Spektroskopie (Rastertunnelspektroskopie) erlaubt es, auf nahezu perfekten probenberichen mit sehr hoher Auflösung Lebensdauern zu messen。Es是geplant, Modellsystemen (Metalloberflachen Adsorbaten和dunnen层)窝Einfluß冯Lokalisierung和Symmetrie der elektronischen Zustande再见您Lebensdauer祖茂堂untersuchen和死Kopplung der Elektronen untereinander和Phononen besser祖茂堂对。在Übergangsmetalloxiden sind - diese Kopplungen中，作者认为stark和fhren zu和wendungs相关的Effekten和unkonentioneller superaleitung和Kolossalem magnetwerstand。Wir wollen, nebenen Messungen and Modellsystemen, das Zusammenspiel von Schichtkristallen der Ruddelsden-Popper Serie mit rastertunnelmikroskie and spektroskie, LEED-I(V)-Analyse and ARPES unsuchen, um die Korrelationen and Kopplungen der Elektronen and die Freiheitsgrade des Gitters in diesen komplexen materien möglichst weitgehend aufzuklären。

In Festkörpern führen Korrelationen und die Kopplung der Elektronen an Phononen zu einer endlichen Lebensdauer t der elektronischen Zustände. Untersuchungen mit winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (ARPES), bei denen aus der gemessenen Linienbreite über die Unschärferelation t bestimmt wurde, haben gezeigt, daß Vergleiche mit theoretischen Vorhersagen in vielen Fällen nicht sinnvoll sind, da z.B. kleinste Defektkonzentrationen die Dephasierungszeiten langlebiger Oberflächenzustände drastisch verkürzen. Der Einsatz einer lokalen Spektroskopie (Rastertunnelspektroskopie) erlaubt es, auf nahezu perfekten Probenbereichen mit sehr hoher Auflösung Lebensdauern zu messen. Es ist geplant, an Modellsystemen (Metalloberflächen, Adsorbaten und dünnen Schichten) den Einfluß von Lokalisierung und Symmetrie der elektronischen Zustände auf ihre Lebensdauer zu untersuchen und die Kopplung der Elektronen untereinander und an Phononen besser zu verstehen. In Übergangsmetalloxiden sind diese Kopplungen besonders stark und führen zu anwendungsrelevanten Effekten wie unkonventioneller Supraleitung und Kolossalem Magnetwiderstand. Wir wollen, neben den Messungen an Modellsystemen, das Zusammenspiel von geometrischer Struktur und elektronischer Struktur an Oberflächen von Schichtkristallen der Ruddelsden-Popper Serie mit Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie, LEED-I(V)-Analyse und ARPES untersuchen, um die Korrelationen und Kopplungen der Elektronen an die Freiheitsgrade des Gitters in diesen komplexen Materialien möglichst weitgehend aufzuklären.