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CVD-Prozesse mit neuartigen metallorganischen Precursoren zur Herstellung von hoch-Epsilon Gatedielektrika und metallischen Gatelektroden zukünftiger CMOS-Generation

CVD-Prozesse mit neuartigen metallorganischen Precursoren zur Herstellung von hoch-Epsilon Gatedielektrika und metallischen Gatelektroden zukünftiger CMOS-Generation
采用新型有机金属前体的 CVD 工艺，用于生产未来 CMOS 一代的高 epsilon 栅极电介质和金属栅极电极
批准号：
5313534
负责人：
Professor Dr. Wolfgang A. Herrmann
金额：
$0.0万
依托单位：
Fakultät für Chemie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
2001
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2000-12-31 至 2003-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5313534?language=en
关键词：
CVDProzessemitneuartigenmetallorganischen

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  • 批准号：
    16236257
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Professor Dr. Wolfgang A. Herrmann
  • 依托单位：
    Technische Universität München (TUM)
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  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Professor Dr. Wolfgang A. Herrmann
  • 依托单位：
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  • 资助金额：
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  • 财政年份：
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  • 负责人：
    Professor Dr. Wolfgang A. Herrmann
  • 依托单位：
    Technische Universität München (TUM)
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