Basic studies on solution growth of SiC crystals with the definite polytype structure.

具有确定多型结构的SiC晶体溶液生长的基础研究。

• 批准号: 5322888
• 负责人: Professor Dr. Albrecht Winnacker
• 金额: --
• 依托单位: Department Werkstoffwissenschaften
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5322888?language=en
• 关键词: Basic; studies; solution; growth; SiC

Im Rahmen des geplanten Vorhabens sollen Untersuchungen zur Herstellung von defektarmen einkristallinen SiC-Schichten und Volumenkristallen mit definiertem Polytyp aus der flüssigen Phase durchgeführt werden. Dabei werden erstmals die Prozeßbedingungen analysiert, die zu stabilem Kristallwachstum eines bestimmten SiC-Polytyps bei der Lösungszüchtung führen. Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung. Diese Anlage ermöglicht die Prozeßführung bei hohen Temperaturen und hohen Drücken und erschließt somit einen neuen Parameterraum für die Züchtung von SiC-Kristallen unterschiedlicher Kristallmodifikation und niedrigerer Defektdichte aus der Schmelzlösung.

通过在韦尔登中的流动相确定的多型体，可以确定SiC-Schichten和Volume晶体的缺陷。Dabei韦尔登首先分析了该过程，并在Lösungszüchtung führen上确定了一种最佳SiC-Polytyps。Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung.这一设计在高温度和高Drücken下进行，并为SiC-Kristallen的Züchtung提供了一个新的参数，以实现晶体的改性和Schmelzlösung的缺陷。