Basic studies on solution growth of SiC crystals with the definite polytype structure.

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Im Rahmen des geplanten Vorhabens sollen Untersuchungen zur Herstellung von defektarmen einkristallinen SiC-Schichten und Volumenkristallen mit definiertem Polytyp aus der flüssigen Phase durchgeführt werden. Dabei werden erstmals die Prozeßbedingungen analysiert, die zu stabilem Kristallwachstum eines bestimmten SiC-Polytyps bei der Lösungszüchtung führen. Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung. Diese Anlage ermöglicht die Prozeßführung bei hohen Temperaturen und hohen Drücken und erschließt somit einen neuen Parameterraum für die Züchtung von SiC-Kristallen unterschiedlicher Kristallmodifikation und niedrigerer Defektdichte aus der Schmelzlösung.