Basic studies on solution growth of SiC crystals with the definite polytype structure.

具有确定多型结构的SiC晶体溶液生长的基础研究。

基本信息

项目摘要

Im Rahmen des geplanten Vorhabens sollen Untersuchungen zur Herstellung von defektarmen einkristallinen SiC-Schichten und Volumenkristallen mit definiertem Polytyp aus der flüssigen Phase durchgeführt werden. Dabei werden erstmals die Prozeßbedingungen analysiert, die zu stabilem Kristallwachstum eines bestimmten SiC-Polytyps bei der Lösungszüchtung führen. Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung. Diese Anlage ermöglicht die Prozeßführung bei hohen Temperaturen und hohen Drücken und erschließt somit einen neuen Parameterraum für die Züchtung von SiC-Kristallen unterschiedlicher Kristallmodifikation und niedrigerer Defektdichte aus der Schmelzlösung.
通过在韦尔登中的流动相确定的多型体,可以确定SiC-Schichten和Volume晶体的缺陷。Dabei韦尔登首先分析了该过程,并在Lösungszüchtung führen上确定了一种最佳SiC-Polytyps。Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung.这一设计在高温度和高Drücken下进行,并为SiC-Kristallen的Züchtung提供了一个新的参数,以实现晶体的改性和Schmelzlösung的缺陷。

项目成果

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