Basic studies on solution growth of SiC crystals with the definite polytype structure.
具有确定多型结构的SiC晶体溶液生长的基础研究。
基本信息
- 批准号:5322888
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2001
- 资助国家:德国
- 起止时间:2000-12-31 至 2002-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Im Rahmen des geplanten Vorhabens sollen Untersuchungen zur Herstellung von defektarmen einkristallinen SiC-Schichten und Volumenkristallen mit definiertem Polytyp aus der flüssigen Phase durchgeführt werden. Dabei werden erstmals die Prozeßbedingungen analysiert, die zu stabilem Kristallwachstum eines bestimmten SiC-Polytyps bei der Lösungszüchtung führen. Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung. Diese Anlage ermöglicht die Prozeßführung bei hohen Temperaturen und hohen Drücken und erschließt somit einen neuen Parameterraum für die Züchtung von SiC-Kristallen unterschiedlicher Kristallmodifikation und niedrigerer Defektdichte aus der Schmelzlösung.
通过在韦尔登中的流动相确定的多型体,可以确定SiC-Schichten和Volume晶体的缺陷。Dabei韦尔登首先分析了该过程,并在Lösungszüchtung führen上确定了一种最佳SiC-Polytyps。Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung.这一设计在高温度和高Drücken下进行,并为SiC-Kristallen的Züchtung提供了一个新的参数,以实现晶体的改性和Schmelzlösung的缺陷。
项目成果
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专著数量(0)
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