Entwicklung eines Prozesses zum homoepitaktischen Wachstum von (01-15)-orientiertem SiC aus der flüssigen Phase

开发液相同质外延生长 (01-15) 取向 SiC 的工艺

• 批准号: 17485066
• 负责人: Professor Dr. Albrecht Winnacker
• 金额: --
• 依托单位: Kirchhoff-Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/17485066?language=en
• 关键词: Entwicklung; eines; Prozesses; zum; homoepitaktischen

SiC ist im Bezug auf seine physikalischen und elektronischen Eigenschaften einer der am besten geeigneten Halbleiterwerkstoffe für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Gleichzeitig ist die Volumenkristallzüchtung wie auch die Epitaxie von SiC sehr schwierig, so dass nur (0001)-orientierte Substrate und Schichten hergestellt werden, die im Vergleich zu anderen, industriell hergestellten Halbleitereinkristallen eine mangelhafte kristalline Qualität und inhomogene Dotierstoffverteilung aufweisen. Dieser Sachverhalt stellt sich als wesentliches Hindernis für die weitere Entwicklung von SiC-basierten Bauelementen dar. Das Ziel, ein besseres Verständnis der Defektentstehung in SiC zu erreichen, bleibt daher ein aktueller, wichtiger Bestandteil der Forschung. Die in diesem Projekt vorgestellten Flüssigphasenepitaxie auf unkonventionellen, (01-15)-orientierten Substraten stellt, wie sich in unseren Voruntersuchungen gezeigt hat, einen viel versprechenden Weg zur Herstellung von glatten, defektfreien, dicken SiC-Epitaxieschichten dar. Bei den projektierten Forschungsarbeiten werden hierzu drei spezielle Technologien der Kristallzüchtung kombiniert, die von den Antragstellern selbst entwickelt und nur dort verfügbar sind: Die Gasphasenzüchtung von (01-15)-orientierten SiC-Volumeneinkristallen, die Gasphasenzüchtung von hochreinen, dichten SiC-Tiegeln und die Flüssigphasenepitaxie bei Temperaturen über 2000°C unter erhöhtem Inertgasdruck. Auf diesem Weg sollen kontrollierbar dicke SiC-Epitaxieschichten hoher kristalliner Qualität bei hohen Wachstumsgeschwindigkeiten hergestellt werden. Die Forschungsarbeiten werden auch erheblich zu einem verbesserten Verständnis der Wachstumsmechanismen und der Defektentstehung in SiC beitragen.

SiC ist im Bezug auf seine physikalischen und elektronischen Eigenschaften einer der am besten geeigneten Halbleiterwerkstoffe für Hocolistungs- und Hochfrezanwendungen. Gleichzeitig is die Volume kristallzüchtung wie auch ch e Epitaxie von SiC sehr swierig，so dass努尔（0001）-orientierte Substrate und Schichten hergestellt韦尔登韦尔登，die im Vergleich zu anderen，industriell hergestellten Halbleitereinkristallen eine mangelitte kristalline Qualität and inhomogeneDotierstoffvertelung aufweisen. Dieser Sachverhalt stelt sich als wesentliches Hindernis für die weitere Entwicklung von SiC-baserten Bauelementen dar. Ziel，一个最好的理解SiC的缺陷的人，应该是一个最好的研究者。Die in diesem Projekt vorgestellten Flüssigphasenepitaxie auf unkonventionellen，（01-15）-orientierten Substraten stelt，wie sich in unseren Voruntersuchungen gezeigt hat，einen viel versprechenden Weg zur Herstellung von glatten，defektfreien，dicken SiC-Epitaxieschichten dar.在研究韦尔登的项目中，硅溶胶的自组装和纯合成技术有三种：（01-15）定向SiC-体积结晶的气相沉积、高硬度的气相沉积、在2000°C高温惰性气体下的SiC-Tiegeln和Flüssigphasenepitaxie。这条路需要控制迪凯外延片的质量，因为硅外延片的质量很好，而且韦尔登的质量也很好。Die Forschungsarbeiten韦尔登也是一个verbesserten Verständnis der Wachstumsmechanismen und der Defektentstehung in SiC beitragen。