Entwicklung eines Prozesses zum homoepitaktischen Wachstum von (01-15)-orientiertem SiC aus der flüssigen Phase

开发液相同质外延生长 (01-15) 取向 SiC 的工艺

• 批准号: 17485066
• 负责人: Professor Dr. Albrecht Winnacker
• 金额: --
• 依托单位: Kirchhoff-Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/17485066?language=en
• 关键词: Entwicklung; eines; Prozesses; zum; homoepitaktischen

SiC ist im Bezug auf seine physikalischen und elektronischen Eigenschaften einer der am besten geeigneten Halbleiterwerkstoffe für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Gleichzeitig ist die Volumenkristallzüchtung wie auch die Epitaxie von SiC sehr schwierig, so dass nur (0001)-orientierte Substrate und Schichten hergestellt werden, die im Vergleich zu anderen, industriell hergestellten Halbleitereinkristallen eine mangelhafte kristalline Qualität und inhomogene Dotierstoffverteilung aufweisen. Dieser Sachverhalt stellt sich als wesentliches Hindernis für die weitere Entwicklung von SiC-basierten Bauelementen dar. Das Ziel, ein besseres Verständnis der Defektentstehung in SiC zu erreichen, bleibt daher ein aktueller, wichtiger Bestandteil der Forschung. Die in diesem Projekt vorgestellten Flüssigphasenepitaxie auf unkonventionellen, (01-15)-orientierten Substraten stellt, wie sich in unseren Voruntersuchungen gezeigt hat, einen viel versprechenden Weg zur Herstellung von glatten, defektfreien, dicken SiC-Epitaxieschichten dar. Bei den projektierten Forschungsarbeiten werden hierzu drei spezielle Technologien der Kristallzüchtung kombiniert, die von den Antragstellern selbst entwickelt und nur dort verfügbar sind: Die Gasphasenzüchtung von (01-15)-orientierten SiC-Volumeneinkristallen, die Gasphasenzüchtung von hochreinen, dichten SiC-Tiegeln und die Flüssigphasenepitaxie bei Temperaturen über 2000°C unter erhöhtem Inertgasdruck. Auf diesem Weg sollen kontrollierbar dicke SiC-Epitaxieschichten hoher kristalliner Qualität bei hohen Wachstumsgeschwindigkeiten hergestellt werden. Die Forschungsarbeiten werden auch erheblich zu einem verbesserten Verständnis der Wachstumsmechanismen und der Defektentstehung in SiC beitragen.

[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [2]gleichzeittiist die volumenkristallzchtung wie auch die Epitaxie von SiC sehr schwierig, so ass nur (0001)- oriententite Substrate und Schichten hergestellen, die im Vergleich zu anderen, industriell hergestellten halbleitereinkristelline mangelhafte crystalline Qualität and inhomogene dotierstoffverilung aufweisen。dier Sachverhalt stellt Sachverhalt stellt Sachverhalt Sachverhalt Sachverhalt Sachverhalt Sachverhalt Sachverhalt Sachverhalt Sachverhalt Sachverhalt SachverhaltDas Ziel, ein besseres Verständnis der defktentstehung in SiC zu erreichen, bleibt father ein aktueller, whichtiger Bestandteil der Forschung。Die in diesem Projekt vorgestellten flssigphasenepitaxxie auf un常规，(01-15)- orientiten Substraten stellat . (1) in unseren Voruntersuchungen gezeight, einen viel versprechenden Weg zur Herstellung von glatten, defektfreien, dicken sic - epitaxeschichen dar。北京项目：德国气相实验<e:1>(01-15)-定向实验sic -体积实验，德国气相实验<e:1>(01-15)-定向实验sic -体积实验，德国气相实验<e:1>(01-15)-定向实验sic -体积实验，德国气相实验<e:1>(01-15)-定向实验sic -体积实验，德国气相实验<e:1>(01-15)-定向实验sic -体积实验，德国气相实验<e:1>，德国气相实验<s:1> 2000°C温度下erhöhtem惯性实验。Auf diesem Weg sollen kontrollierbar狄基SiC-Epitaxieschichten hoh kristalliner Qualitat贝hohen Wachstumsgeschwindigkeiten hergestellt了。Die forschungsaren werden auch erheblich zueinem verbesserten Verständnis der Wachstumsmechanismen and der defktentstehung in SiC beitragen。