Herstellung und Charakterisierung von amorphen (SiC)1-x(AlN)x:H-Filmen mittels DC-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung

采用直流磁控溅射和脉冲激光沉积非晶 (SiC)1-x(AlN)x:H 薄膜的制备和表征

• 批准号: 5440923
• 负责人: Professor Dr. Albrecht Winnacker
• 金额: --
• 依托单位: Seccion Electricidad y Electronica
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5440923?language=en
• 关键词: Herstellung; und; Charakterisierung; von; amorphen

Die einkristallinen Verbindungshalbleiter SiC und AIN eignen sich wegen ihrer großen Bandlücken beispielsweise für optoelektronische Bauelemente im ultravioletten Spektralbereich. Das pseudobinäre System (SiC)1-x(AIN)x ermöglicht die Einstellung einer gewünschten Bandlücke ("band-gap engineering"). Das entsprechende amorphe System zeichnet sich durch seine einfache und damit kostengünstige Herstellung aus. Es sollen dünne, amorphe (SiC)1-x(AIN)x:H-Filme mittels DC-, RF-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung an der PUCP (Pontificia Universidad Catolica del Peru)in Lima, Peru hergestellt und untersucht werden. Ausgangsmaterial sind hochreine, (poly-) kristalline SiC- und AIN-Targets, hergestellt an der Universität Erlangen, welche im Gegensatz zu den kommerziell erhältlichen Keramik-Targets, die Herstellung von amorphen Schichten in Halbleiterqualität gewährleisten. Der Einfluss der Prozessgase Wasserstoff und Stickstoff auf die Halbleitereigenschaften und die Bandlücke der Filme wird untersucht. Es werden in-situ-Messungen der Leitfähigkeit durchgeführt und in Abhängigkeit von der Substrattemperatur (von 12 K bis 1000 K) untersucht. Zusätzlich wird mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Elektronenbeugung die amorphe Struktur bestimmt. Die Charakterisierung mittels Photoemissionsspektroskopie gibt Aufschluss über die Bindungstypen. Die optischen Eigenschaften werden mittels Photolumineszenz und optischer Adsorption gemessen. Mit der Durchführung dieses Projektes soll die bestehende Arbeitsgruppe an der PUCP im Bereich der Materialwissenschaften unterstützt und zusätzlich die Forschungskapazitäten durch Gerätespenden erheblich gesteigert werden.

SiC 和 AIN 的晶体结构在紫外线光谱中大大提高了光电子器件的性能。 Das fakebinäre System (SiC)1-x(AIN)x ermöglicht die Einstellung einer gewünschten Bandlücke（“带隙工程”）。 Das entsprechende amorphe System zeichnet sich durch seine einfache und damit kostengünstige Herstellung aus。 Es sollen dünne, amorphe (SiC)1-x(AIN)x:H-Filme mittels DC-, RF-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung an der PUCP (Pontificia Universidad Catolica del Peru) in Lima, Peru hergestellt und untersucht werden. Ausgangsmaterial sind hochreine, (poly-) cristalline SiC- and AIN-Targets, hergestellt an der Universität Erlangen, welche im Gegensatz zu den kommerziell erhältlichen Keramik-Targets, die Herstellung von amorphen Schichten in Halbleiterqualität gewährleisten. Der Einfluss der Prozessgase Wasserstoff 和 Stickstoff auf die Halbleitereigenschaften 和 die Bandlücke der Filme wird undersucht。 Es werden in-situ-Messungen der Leitfähigkeit durchgeführt 和 Abhängigkeit von der Substrattemperatur (von 12 K bis 1000 K) undersucht。 Zusätzlich wird mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Elektronenbeugung die amorphe Struktur bestimmt。光发射技术的特征包括在绑定类型上。 Die optischen Eigenschaften werden mittels 光致发光和光学吸附宝石。 Mit der Durchführung dieses Projektes soll die an bestehende Arbeitsgruppe an der PUCP im Bereich der Materialwissenschaften unterstützt and zusätzlich die Forschungskapazitäten durch Gerätespenden erheblich gesteigert werden.