Herstellung und Charakterisierung von amorphen (SiC)1-x(AlN)x:H-Filmen mittels DC-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung

采用直流磁控溅射和脉冲激光沉积非晶 (SiC)1-x(AlN)x:H 薄膜的制备和表征

• 批准号: 5440923
• 负责人: Professor Dr. Albrecht Winnacker
• 金额: --
• 依托单位: Seccion Electricidad y Electronica
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5440923?language=en
• 关键词: Herstellung; und; Charakterisierung; von; amorphen

Die einkristallinen Verbindungshalbleiter SiC und AIN eignen sich wegen ihrer großen Bandlücken beispielsweise für optoelektronische Bauelemente im ultravioletten Spektralbereich. Das pseudobinäre System (SiC)1-x(AIN)x ermöglicht die Einstellung einer gewünschten Bandlücke ("band-gap engineering"). Das entsprechende amorphe System zeichnet sich durch seine einfache und damit kostengünstige Herstellung aus. Es sollen dünne, amorphe (SiC)1-x(AIN)x:H-Filme mittels DC-, RF-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung an der PUCP (Pontificia Universidad Catolica del Peru)in Lima, Peru hergestellt und untersucht werden. Ausgangsmaterial sind hochreine, (poly-) kristalline SiC- und AIN-Targets, hergestellt an der Universität Erlangen, welche im Gegensatz zu den kommerziell erhältlichen Keramik-Targets, die Herstellung von amorphen Schichten in Halbleiterqualität gewährleisten. Der Einfluss der Prozessgase Wasserstoff und Stickstoff auf die Halbleitereigenschaften und die Bandlücke der Filme wird untersucht. Es werden in-situ-Messungen der Leitfähigkeit durchgeführt und in Abhängigkeit von der Substrattemperatur (von 12 K bis 1000 K) untersucht. Zusätzlich wird mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Elektronenbeugung die amorphe Struktur bestimmt. Die Charakterisierung mittels Photoemissionsspektroskopie gibt Aufschluss über die Bindungstypen. Die optischen Eigenschaften werden mittels Photolumineszenz und optischer Adsorption gemessen. Mit der Durchführung dieses Projektes soll die bestehende Arbeitsgruppe an der PUCP im Bereich der Materialwissenschaften unterstützt und zusätzlich die Forschungskapazitäten durch Gerätespenden erheblich gesteigert werden.

SiC和AlN的相互结合使其在紫外光辐射下的光电子元件具有更大的带宽。Das pseudobinäre System（SiC）1-x（AIN）x ermöglicht die Einstellung einer gewünschten Bandlücke（“带隙工程”）.这一非结构化体系是通过一种特殊的方式和最大的成本来实现的。Es sollen dünne，amorphe（SiC）1-x（AIN）x：H-Filme mittels DC-，RF-Magnetronzerstäubung und gepulster Laserabscheidung an der PUCP（Pontificia Universidad Catolica del秘鲁）in Lima，秘鲁hergestellt und untersucht韦尔登. Ausgangsmaterial sind hochreine，（poly-）kristalline SiC- und AIN-Targets，hergestellt an der Universität埃尔兰根，welche im Gegenetzu den kommerziell erhältlichen Keramik-Targets，die Herstellung von amorphen Schichten in Halbleiterqualität gewährleisten. Wasserstoff和Stickstoff对Halbleitereigenschaften和Filme的Bandlücke的影响将得到解决。Es韦尔登在原位-Messungen der Leitfähigkeit durchgeführt和Abhängigkeit von der Substratemperatur（von 12 K bis 1000 K）untersucht。Zusätzlich wird mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Elektronenbeugung die amorphe Struktur bestimmt.光电发射光谱仪的特性使其具有较强的结合力。光学特性韦尔登包括光致发光和光学吸附。Mit der Durchführung dieses Projektes soll die bestehende Arbeitsgruppe an der PUCP im Bereich der Materialwissenschaften unterstützt und zusätzlich die Forschungskapazitäten durch Gerätespenden erheblich gesteigert韦尔登.