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Herstellung von AlN-Volumenkristallen als Substrate für das Wachstum defektarmer(Al,Ga)N MBE-Schichten
生产 AlN 块状晶体作为低缺陷 (Al,Ga)N MBE 层生长的基底
基本信息
- 批准号：5261606
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：德国
- 项目类别：Research Grants
- 财政年份：2000
- 资助国家：德国
- 起止时间：1999-12-31 至 2007-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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