微粒子砥粒砥石による単結晶シリコンウエハ鏡面研削メカニズムの解明
细粒磨料砂轮单晶硅片镜面磨削机理的阐明
基本信息
- 批准号:13750095
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2001
- 资助国家:日本
- 起止时间:2001 至 2002
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では,砥粒として長さ数十μm・厚さ約1μmの微細な薄片状凝集シリカ粉末を用いてシリコン鏡面研削用微粒子砥粒砥石(これ以後、薄片状シリカEPDペレットと呼ぶ)を作製し、研削実験に供した。その結果、薄片状シリカEPDペレットでも,従来の球状シリカEPDペレット同様,8インチシリコンウエハを研削痕やスクラッチ痕の無い鏡面に研削できることがわかった。これは,見かけ上の加工は二次粒子である長さ数十μm・厚さ約1μmの薄片状シリカで行われているが,実際には一次粒子であるサブミクロンサイズの粒状シリカによって加工が行われていると考えられる。すなわち,非常に微細なサブミクロンサイズの粒状シリカによって加工が行われているため,薄片状シリカであっても鏡面研削が可能であったと理解できる。一方、シリコンは非常に活性な元素であり、酸素雰囲気中では容易に表面に醸化物を形成する。ミクロな観点からとらえると、微粒子砥粒砥石と単結晶シリコンウエハ界面にはシリコン酸化物が存在しており、実際の加工では微粒子砥粒は金属シリコンではなくシリコン酸化物を除去することにより、加工が進行している可能性がある。そこで、本研究では単結晶シリコン酸化物である水晶ウエハの加工を試みた。立形超精密研削盤を用いて、ビトリファイドダイヤモンドホイールSD4000による前加工を施した水晶ウェハをシリカ微粒子砥粒砥石にて研削加工した。その結果、乾式雰囲気下で3インチ水晶ウエハ全面を焼けやスクラッチのない5nmRy程度の鏡面に仕上げることが可能であった。さらに、加工面に加工歪みのような欠陥は一切みられず、加工に要した時間は10分以下とシリコンウエハよりも短時間で鏡面創成が可能であった。このことは、シリカ微粒子砥粒砥石による単結晶シリコンウエハの加工において、微粒子砥粒は金属シリコンではなく表面に形成されるシリコン酸化物を除去することにより加工が進行している可能性があり、何らかの化学反応が寄与していることを示唆していると考えられる。しかしながら、その化学反応に関する詳細は明らかでなく、今後さらに検討する必要がある。
In this study, fine flake aggregate powders with grain length of several tens of μ m and thickness of about 1 μ m were prepared and ground using fine particle abrasives for mirror grinding. As a result, thin film EPD selection, spherical EPD selection, same, 8-inch grinding marks, no mirror surface grinding marks, etc. In this case, the processing of secondary particles is carried out in a flaky manner with a length of tens of μ m and a thickness of about 1 μ m. In fact, the processing of primary particles is carried out in a granular manner. It is possible to understand the fine, granular, and flaky mirror grinding. A side, a side, a side. There is a possibility that the particles will be removed from the crystal interface. This study is about the crystallization of the acid. Vertical ultra-precision grinding disk for use in grinding, grinding As a result, dry The processing time is less than 10 minutes, and the mirror surface can be created in a short time. The possibility of chemical reaction and removal of acid from the surface of fine particles and fine particles is discussed. The chemical reactions are discussed in detail.
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
澁谷秀雄, 深澤隆, 不破徳人, 池野順一, 鈴木浩文, 堀内宰: "薄片状シリカEPDペレットによるシリコンウエハの研削特性"日本機械学会論文集(C編). 68・673. 2791-2796 (2002)
Hideo Shibuya、Takashi Fukasawa、Norito Fuwa、Junichi Ikeno、Hirofumi Suzuki、Osamu Horiuchi:“使用片状二氧化硅 EPD 颗粒的硅晶片的研磨特性”日本机械工程师学会会议记录(编辑 C)68・673-。 2796 (2002))
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
澁谷 秀雄其他文献
澁谷 秀雄的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
単結晶シリコンの多条微細V溝構造をかみ合わせた直動ステージ
单晶硅互锁多排微V型槽结构线性平台
- 批准号:
24K07255 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
単結晶シリコンの疲労過程における結晶すべり進展の動的その場観察
单晶硅疲劳过程中晶滑进展的动态原位观察
- 批准号:
19K04091 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
マイクロ機械構造体の信頼性向上のための単結晶シリコンの破壊特性評価
评估单晶硅的断裂特性以提高微机械结构的可靠性
- 批准号:
13J01559 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
MEMSデバイスの高信頼化のための単結晶シリコンの表面反応疲労現象の理解と制御
了解和控制单晶硅的表面反应疲劳现象以实现MEMS器件的高可靠性
- 批准号:
18686013 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
単結晶シリコン製大口径赤外線非球面レンズの新しい超精密切削法の開発
单晶硅大口径红外非球面透镜超精密切割新方法开发
- 批准号:
13750090 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
単結晶シリコン選択成長による生体電位計測用スマート極微細多電極チップ形成の研究
单晶硅选择性生长形成智能超细生物电势测量多电极芯片的研究
- 批准号:
12875061 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ラミネート構造新型単結晶シリコン太陽電池素子開発
新型叠层结构单晶硅太阳能电池元件的研制
- 批准号:
00J06593 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
単結晶シリコンの高能率・高精度三次元放電加工法に関する研究
单晶硅高效高精度三维放电加工方法研究
- 批准号:
09750143 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
魔鏡トポグラフによる単結晶シリコン超精密切削面のインプロセス計測に関する研究
利用魔镜形貌在线测量单晶硅超精密切割面的研究
- 批准号:
05750105 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
超精密切削による単結晶シリコンの極薄片化に関する研究
单晶硅超精密切割超薄切片研究
- 批准号:
04750089 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)