イオンビーム蒸着法による新高輝度蛍光材料の創製

利用离子束蒸发法制备新型高亮度荧光材料

• 批准号: 13750649
• 负责人: 末松 久幸
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2001 至 2002
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13750649/
• 关键词: SrAl_2O_4 : Eu,Dy; フォトルミネッセンス; パルスイオンビーム蒸着; 傾斜組成薄膜; ハイブリッドターゲット; SrAl_2O_4 : Eu, Dy

パルスイオンビーム蒸着法により、結晶質SrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜の室温堆積を行った。ターゲットにはSrAl_2O_4:Eu,Dy焼結体、これに加速電圧1MV(ピーク)、電流70kA、パルス幅50nsのパルス軽イオンビームを照射し、アブレーションプラズマを室温のステンレス鋼、ソーダライムガラス・ポリエチレンおよび単結晶Si基板に堆積させた。粉末X線回折の結果SrAl_2O_4:Eu,Dy相が検出され、フォトルミネッセンス測定の結果SrAl_2O_4:Eu,Dy相に特有な520nmの発光が見られた。このことから、室温でも結晶質SrAl_2O_4:Eu,Dy薄膜が作製できたことがあった。このことから、パルスイオンビーム蒸着法により酸化物結晶質基板を、低融点・分解温度基板上に作製できることを実証した。新規蛍光物質探索のため、パルスイオンビームを用いた傾斜組成薄膜作製技術開発を行った。まずは全率固溶のSi_<1-x>Ge_x傾斜組成薄膜の作製を試み、その組成変化を走査型電子顕微鏡と標準サンプルを用いたエネルギー分散型X線分析法により定量した。SiとGeを接合したハイブリッドターゲットを作製した。これに上記のパルスイオンビーム照射を行った。高速度カメラにより記録された発光から、SiとGeからアブレーションプラズマをほぼ同時に発生させたことが判明した。これを基板に堆積させたところ、幅20mmにわたって組成が連続的に傾斜したSi_<1-x>Ge_x薄膜の作製に成功した。これにより、新物質探索のための傾斜組成薄膜作製技術を確立した。

Room temperature deposition of crystalline SrAl_2O_4:Eu,Dy thin films by evaporation method. SrAl_2O_4:Eu,Dy sintered body, acceleration voltage of 1MV(peak), current of 70kA, amplitude of 50ns, temperature range, temperature, temperature range, temperature range, temperature, temperature X-ray diffraction of SrAl_2O_4: Eu, Dy phase and its characteristic emission at 520nm were studied. SrAl_2O_4:Eu,Dy thin films were prepared at room temperature. This is the first time that the acid has been produced on a crystalline substrate. New optical substance exploration and development of thin film fabrication technology with tilt composition Preparation of Si_<1-x>Ge_x Inclined Composition Thin Films with Complete Solid Solution and Determination of Composition by Standard Electron Microscopy and Dispersion X-ray Analysis Si Ge joint This is the first time that I've seen you. High speed recording system, Si Ge recording system, Si Ge recording system The Si_<1-x>Ge_x thin films deposited on the substrate were successfully fabricated with a thickness of 20 mm. The technology of thin film fabrication with tilt composition was established.

项目成果

H.Suematsu: "Photoluminescence Properties of Crystallized Strontium Aluminate Thin Films Prepared by Ion-Beam Evaporation"Thin Solid Films. 407. 136-138 (2002)

H.Suematsu：“离子束蒸发制备的结晶铝酸锶薄膜的光致发光特性”固体薄膜。

H.Suematsu: "Preparation of SrAl2O4 : Eu, Dy Thin Films on Polyethylene Substrates by Pulsed Ion-Beam Evaporation"Proc. 14th International Conference on High-Power Particle Beams. (印刷中). (2003)

H.Suematsu：“通过脉冲离子束蒸发在聚乙烯基底上制备 SrAl2O4：Eu、Dy 薄膜”，第 14 届高功率粒子束国际会议（2003 年）。

K.Yatsui: "Novel Applications of Intense Pulsed Ion Beams in Materials Science"Proc. 14th International Conference on High-Power Particle Beams. (印刷中). (2003)

K.Yatsui：“强脉冲离子束在材料科学中的新应用”，第 14 届高功率粒子束国际会议（2003 年）。