触媒CVD法による太陽電池炭化シリコン層作製についての基礎的研究
触媒CVD法による太陽電池炭化シリコン層作製についての基礎的研究
批准号:
03F03287
负责人:
梅本 宏信
金额:
$0.64万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2005
中文摘要
本年度は、主に炭化シリコンや炭窒化シリコン薄膜作製のために使用が検討されている有機シリコン系ガスの触媒分解を行い、質量分析法による分解生成物の同定を行った。有機シリコンガスとしては、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリスジメチルアミノシラン等を用いた。有機シリコン系ガスを真空チャンバー内に噴散させ、通電加熱したタングステン線等の触媒体上で分解させた。分解生成物を三通りの質量分析法(光イオン化-飛行時間型質量分析法、電子衝撃型四重極質量分析法およびイオン付着型四重極質量分析法)によって同定した。光イオン化質量分析法では、Nd:YAGレーザーの9倍波(118nm)で分解種をイオン化させ、反射式飛行時間型質量分析計で質量選別したのち、マイクロチャンネルプレートによって検出した。イオン付着型質量分析法では、リチウムイオンを付着させることによりフラグメンテーションを起こさせることなしにイオン化させた。その結果、Si-N結合の方がSi-C結合よりも強いにもかかわらず、選択的に解離することが分かった。これは、N原子の孤立電子対が触媒体と相互作用し、Si-N結合が切れた状態で解離吸着した後にラジカルとして放出されるためと考えられる。また、メタンやテトラメチルシランの触媒分解過程では、触媒体として、タングステンよりもモリブデンかレニウムを用いた方が炭化による分解効率の減少が少なく、有利であることが判明した。なお、グラファイト触媒は高温でも安定ではあるが、分解効率は金属触媒に比べて一桁以上落ちることが判明した。
英文摘要
本年度は、主に炭化シリコンや炭窒化シリコン薄膜作製のために使用が検討されている有機シリコン系ガスの触媒分解を行い、質量分析法による分解生成物の同定を行った。有機シリコンガスとしては、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリスジメチルアミノシラン等を用いた。有機シリコン系ガスを真空チャンバー内に噴散させ、通電加熱したタングステン線等の触媒体上で分解させた。分解生成物を三通りの質量分析法(光イオン化-飛行時間型質量分析法、電子衝撃型四重極質量分析法およびイオン付着型四重極質量分析法)によって同定した。光イオン化質量分析法では、Nd:YAGレーザーの9倍波(118nm)で分解種をイオン化させ、反射式飛行時間型質量分析計で質量選別したのち、マイクロチャンネルプレートによって検出した。イオン付着型質量分析法では、リチウムイオンを付着させることによりフラグメンテーションを起こさせることなしにイオン化させた。その結果、Si-N結合の方がSi-C結合よりも強いにもかかわらず、選択的に解離することが分かった。これは、N原子の孤立電子対が触媒体と相互作用し、Si-N結合が切れた状態で解離吸着した後にラジカルとして放出されるためと考えられる。また、メタンやテトラメチルシランの触媒分解過程では、触媒体として、タングステンよりもモリブデンかレニウムを用いた方が炭化による分解効率の減少が少なく、有利であることが判明した。なお、グラファイト触媒は高温でも安定ではあるが、分解効率は金属触媒に比べて一桁以上落ちることが判明した。
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI:
10.1143/jjap.44.732
发表时间:
2005-01-01
期刊:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子:
--
作者:
[Morimoto, T, Umemoto, H, Kawazoe, H]
通讯作者:
Kawazoe, H
H2 Dilution Effect in the Cat-CVD Processes of the SiH4/NH3 System
SiH4/NH3 系统 Cat-CVD 过程中的 H2 稀释效应
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Thin Solid Films 501, [1-2]
影响因子:
--
作者:
[Yukari Matsuo, Yoshimitsu Fukuyama, Yoshiki Moriwaki, Hiroto TACHIKAWA, H.Matsumura et al., S.Kondo, Hiroto TACHIKAWA, A.Masuda et al., Hiroto TACHIKAWA, Hiroto TACHIKAWA, M.A.Dar et al., Hiroto TACHIKAWA, S.G.Ansari et al.]
通讯作者:
S.G.Ansari et al.
Catalytic Decomposition of HCN on Heated W Surfaces to Produce CN Radicals
HCN 在加热的 W 表面上催化分解产生 CN 自由基
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
J.Non-Cryst.Solids 338-340
影响因子:
--
作者:
[N.B.Sankaran, et al., T.Morimoto et al., S.A.A.G.Ansari et al., A.Masuda et al., H.Umemoto et al.]
通讯作者:
H.Umemoto et al.
DOI:
10.1016/j.tsf.2005.07.172
发表时间:
2006-04-20
期刊:
THIN SOLID FILMS
影响因子:
2.1
作者:
[Masuda, A, Umemoto, H, Matsumura, H]
通讯作者:
Matsumura, H
Production Yields of H(D) Atoms in the Reaction of N_2(a ^1IIg, ν=0) with H_2 and D_2
N_2(a ^1IIg, ν=0) 与 H_2 和 D_2 反应中 H(D) 原子的产率
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Chem.Phys. 303・1,2
影响因子:
--
作者:
[N.B.Sankaran, et al., T.Morimoto et al., S.A.A.G.Ansari et al., A.Masuda et al., H.Umemoto et al., H.Matsumura et al., H.Umemoto et al.]
通讯作者:
H.Umemoto et al.
共 6 条
触媒CVD法による太陽電池炭化シリコン層作製についての基礎的研究
-
批准号:03F00287
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$0.13万
-
财政年份:2003
-
负责人:梅本 宏信
-
依托单位:
励起窒素原子の全衝突反応過程と半衝突反応過程
-
批准号:08218224
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$0.9万
-
财政年份:1996
-
负责人:梅本 宏信
-
依托单位:
金属原子-水素分子錯体の光励起ダイナミクス
-
批准号:07228224
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.02万
-
财政年份:1995
-
负责人:梅本 宏信
-
依托单位:
原子と分子の反応速度の温度依存
-
批准号:59740212
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1984
-
负责人:梅本 宏信
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
超宽禁带半导体金刚石CVD制备与掺杂技术研发
-
批准号:2025QK3013
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2025
-
负责人:曹晓君
-
依托单位:
CVD工艺的大规模昂贵约束进化优化研究
-
批准号:62506322
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:夏翌彰
-
依托单位:
超薄BaTiO3铁电栅介质的CVD生长及二维负电容晶体管构筑
-
批准号:62504149
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:张磊
-
依托单位:
基于热/动力学模拟的CVD Ti1-xAlxN涂层结构和服役性能调控
-
批准号:52501017
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2025
-
负责人:吴立颖
-
依托单位:
CVD 金刚石薄膜在原子气室中的抗弛豫原理
与方法研究
-
批准号:Q24F040034
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:于会尧
-
依托单位:
液态金属辅助CVD法制备大面积二维In2Te3单晶及其光探测器集成
-
批准号:22475159
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:50.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:周楠
-
依托单位:
“缓释控源”CVD精准合成转角二维范德华异质结及其神经突触器件研究
-
批准号:62404060
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:刘明强
-
依托单位:
基于焦耳加热辅助热梯度CVD法构筑SiC纳米线选区增韧锐形C/C复合材料研究
-
批准号:524B2015
-
项目类别:青年学生基础研究项目
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:刘慧敏
-
依托单位:
高质量、均匀单层MoSi2N4晶体的CVD法控制制备及电学性质研究
-
批准号:52402064
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2024
-
负责人:周天亚
-
依托单位:
(xZrC-yHfC-zSiC)/SiC多层交替涂层的多相共沉积机理及其一步CVD法制备研究
-
批准号:52302071
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2023
-
负责人:李博
-
依托单位: