权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

超平坦界面を有する半導体理想量子細線・井戸構造における励起子ダイナミクスの解明

阐明具有超平坦界面的半导体理想量子线/阱结构中的激子动力学

基本信息

批准号：
15760216
负责人：
吉田正裕
金额：
$ 1.47万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至 2004
项目状态：
已结题

项目摘要

へき開再成長(CEO)法とその成長表面での成長中断アニール法により原子平坦なヘテロ界面をもつGaAs/AlGaAs(110)量子井戸・T型量子細線構造を作製し、その量子構造内での励起子の光物性を顕微発光計測法により調べた。T型量子細線に関しては、昨年度に引き続き、1次元電子正孔系の高密度状態・多体効果を調べた。今回、スペクトログラフ手法を用いた空間・エネルギー分解分光測定を行うことで、発光スペクトルへのキャリア拡散・不均一空間分布の影響を極力減らし、より精密にその励起強度依存性(電子-正孔対密度依存性)を得ることが出来るようになった。これにより、これまで主張してきた励起子分子状態を経由した励起子状態から高密度電子正孔プラズマへのクロスオーバー的な移り変わりの様子をより詳細に示した。また、細線発光の飽和強度を元に、励起子分子形成、プラズマ形成のキャリア密度をそれぞれ3.6x10^3cm^<-1>、1.2x10^5cm^<-1>と見積もった。原子平坦界面量子井戸に関しては、励起子発光をプローブとして、その発光像(発光パターン)測定を行い、その空間分布の様子からヘテロ界面に保存される特異なアニール表面構造を原子層分解能で調べた。また、発光像と発光スペクトルとの対応を試料全体にわたって調べた。また、更なる高品質な超平坦界面量子井戸・細線構造実現のために、成長中断アニール条件の最適化をより進めた。650℃へアニール温度を上げることで、成長時に形成された表面ラフネスが著しく減少し、平坦化が促進されることを確認した。また、AFM観測された結晶軸方向に依存した原子ステップエッジの特徴的形状とその解析から、ステップエッジの安定性を議論し、(110)面での平坦化メカニズムについての考察を進めた。

In the CEO method, the surface growth interrupts the growth of the atom, the interface of the atom is flat, the interface is GaAs/AlGaAs, the T-type quantum line is used as a device, and the quantum exciter is used to measure the optical and physical properties of the exciter. The T-type quantum line amplifier, last year's lead-in device, and the one-dimensional electron positive hole system are high-density multi-body devices. This time, the optical pressure measurement method is used to determine the dispersion of the transmission line, the uniform distribution in the space, the strength dependence (the density dependence of the electron-positive hole) and the dispersion in the space. The molecular configuration of the exciter is displayed by the driver in the positive hole of the high-density electrons. the molecular configuration of the exciter is the molecular configuration of the exciter. Optical and intensity sensors, exciter molecular formation, exciter formation, density density measurement, 3.6x10 ^ 3cm^ & lt;-1>, 1.2x10 ^ 5cm^ & lt;-1>. The atomic flat interface quantum well, the exciter, the optical beam, the optical image, and the space distribution quantum interface are used to store the atomic decomposition energy spectrum on the surface. The light, the light. High-quality and high-quality quantum wells with ultra-flat interfaces are designed to achieve high-performance, growth and disruption conditions to optimize the performance. The temperature is very high at 650 ℃. The temperature is very high, and the temperature is very high at 650 ℃. The temperature is very high at 650 ℃. The temperature is very high at room temperature. the temperature increases at 650 ℃. The direction of the crystal is dependent on the shape of the atom, the shape of the AFM, the stability of the surface, the flatness of the plane, the shape of the atom, the shape of the atom, the shape of the device, the shape of the device.