キャピラリーZピンチ放電型極端紫外露光光源の研究

毛细管Z箍缩放电式极紫外曝光光源的研究

• 批准号: 04F04328
• 负责人: 堀田 栄喜
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 2005
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04F04328/
• 关键词: キャピラリー放電; Zピンチ; プラズマフォーカス; 極端紫外; ピンチダイナミクス; 露光光源; 極端紫外光; キャピラリー; プラズマサイズ; デブリ; スペクトル; 発光効率

次世代半導体リソグラフィー用の縮小露光光源として,波長13.5nmの極端紫外(EUV)光源が注目されている。光源には,高出力かつ高品質であることが求められているが,我々は電気入力が直接プラズマのエネルギーに変換されるために,総合エネルギー効率が高くなると期待されているキセノン(Xe)を用いたキャピラリーZピンチ放電型光源について研究している。本研究では,プラズマフォーカスを比較対象とし,放電部の形状およびXeガス圧力を変化させ,このときのEUV出力を,較正されたZrフィルター,Si/Mo多層膜ミラーおよびフォトダイオードで構成される検出器により測定し,EUV発光効率の高い放電部形状および放電条件を見出すことを目的とした。また,高速度カメラによる観測を行い,ピンチダイナミクスおよびプラズマパラメーターの時間変化について検討し,以下の結果を得た。1.形状の異なるプラズマフォーカス型放電部を製作し,比較実験を行った。2.高速度カメラによる観測から,中心電極先端から放電ガスを供給するタイプでは,通常のプラズマフォーカスと同様のピンチダイナミクスが観測された。3.ピンホールカメラによるEUV発光像の観測,カロリメータによるEUV出力の計測,フォトダイオードによるEUV出力の時間変化の測定を行い,電極形状による出力に違いについて検討した。4.最適形状および最適放電条件を求めるまでには至らなかったが,プラズマフォーカスにおいても,Zピンチと同様のEUV出力が得られる可能性が示された。

Next-generation semiconductor light sources with reduced exposure and extreme ultraviolet (EUV) light sources at 13.5 nm are attracting attention. Light source, high output, high quality, high efficiency, high In this study, we compared the characteristics of Si/Mo multilayer films with those of Zr,Si/Mo multilayer films,Si/Mo multilayer films and Si/Mo multilayer films. The following results were obtained from the test of high speed, high speed and high speed. 1. The shape is different from the shape of the material. 2. High speed test, center electrode tip test, normal test 3. Measurement of EUV emission image, measurement of EUV output, measurement of time variation of EUV output, investigation of electrode shape and output deviation. 4. The optimum shape and the optimum discharge condition are obtained. The possibility of obtaining the same EUV output is shown.

项目成果

Development of multi faraday cup assembly for ion beam measurements from a low energy plasma focus device

• DOI: 10.1143/jjap.44.5199
• 发表时间: 2005-07-01
• 期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
• 作者: Mohanty, SR;Bhuyan, H;Hotta, E
• 通讯作者: Hotta, E

Development of a Gas Jet-Type Z-Pinch EUV Light Source for Next-Generation Lithography

开发用于下一代光刻的气体喷射型 Z 收缩 EUV 光源

• 发表时间: 2005
• 期刊: J. Plasma Fusion Res 81
• 作者: I. Song;R. S. Mohanty;M. Watanabe;T. Kawamura;et. al.
• 通讯作者: et. al.

Develoment of gas jet Z-pinch extreme ultraviolet source for next generation lithography

用于下一代光刻的气体喷射Z箍缩极紫外源的开发

• 发表时间: 2005
• 期刊: New Aspects of High Energy Density Plasma NIFS-PROC-61
• 作者: I. Song;Y. Honma;K. Iwata;S. R. Mohanty;M. Watanabe;et. al.
• 通讯作者: et. al.

半導体リソグラフィ用EUV光源の光学的特性に関する研究

半导体光刻EUV光源光学特性研究

• 发表时间: 2005
• 期刊: 平成17年電気学会全国大会予稿集 1(発表予定)
• 作者: 岩田和宏;本間友祐;宋仁皓;M.Masnavi;S.R.Mohanty;渡辺正人;他
• 通讯作者: 他

Characteristics of Xenon Capillary Z-Pinch Extreme Ultraviolet Lithography Source Driven by Different dI/dt Discharge Current Pulses

不同dI/dt放电电流脉冲驱动的氙毛细管Z箍缩极紫外光刻源特性

• 发表时间: 2005
• 期刊: Jpn. J. App1. Phys., 44
• 作者: I. Song;K. Iwata;Y. Homma;S. R. Mohanty;M. Watanabe;et. al.
• 通讯作者: et. al.