课题基金 / 基金详情

Development of High-temperature cBN Thin Film DevicesFor Severe Environments

Development of High-temperature cBN Thin Film DevicesFor Severe Environments
恶劣环境下高温cBN薄膜器件的开发
批准号：
16106009
负责人：
YOSHIDA Toyonobu
金额：
$72.63万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2004
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2004 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16106009/
关键词：
高温耐環境デバイスcBN 薄膜プラズマプロセスドーピングプラズマ加工先端機能デバイス半導体物性表面・界面物性材料加工・処理先端機能デパイスcubic boron nitridehexagonal boron nitrideUV emissionwide band gapdoping立方晶窒化ホウ素乱層構造sp2結合窒化ホウ素ワイドバンドギャップ電気伝導度ナノインデンテーションturbos

项目摘要

项目成果

YOSHIDA Toyonobu的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。
期刊论文(54)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Peculiar deformation characteristics of turbostratic boron nitride thin
乱层氮化硼薄层的特殊变形特性
DOI： --
发表时间： 2005
期刊： THIN SOLID FILMS 483・1-2
影响因子： --
作者： [Yang, H, Iwamoto, C, Yoshida, T]
通讯作者： T
ICP-CVD法によるhBN薄膜堆積における結晶構造制御応物学会/春季
通过 ICP-CVD 方法/Spring 控制六方氮化硼薄膜沉积中的晶体结构
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [十倉祐紀, 神原淳, 吉田豊信]
通讯作者： 吉田豊信
Preparation of High Conductive Cubic Boron Nitride Thin Films by in-situ Zinc Doping
原位锌掺杂制备高导电立方氮化硼薄膜
DOI： --
发表时间： 2006
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Nose, T. Yoshida]
通讯作者： T. Yoshida
ICP-CVD法によるcBN核生成・成長に及ぼす動的ガス組成費の影響
动态气体成分成本对 ICP-CVD 法 cBN 成核和生长的影响
DOI： --
发表时间： 2006
期刊：
影响因子： --
作者： [野瀬健二, 十倉祐紀, 中村圭輔, 吉田豊信]
通讯作者： 吉田豊信
共 42 条
    Next generation mesoplasma SIEMENS technology for direct production of wafer-equivalent thin film solar cells
    • 批准号：
      21226017
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $103.17万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      YOSHIDA Toyonobu
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    DEVELOPMENT OF NANO-CBN THIN FILM DEVICES WORKING AT HIGH-TEMPERATURES UNDER SEVERE CONDITIONS
    • 批准号：
      13355028
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $32.2万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      YOSHIDA Toyonobu
    • 依托单位：
      THE UNIVERSITY OF TOKYO
    IN-SITU MEASUREMENT AND SIMULATION FOR DEFORMATION AND SOLIDIFICATION PHENOMENA OF SUPER-COOLED SINGLE DROPLET UNDER PLASMA SPRAY CONDITIONS (2002)
    • 批准号：
      12305048
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $30.18万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      YOSHIDA Toyonobu
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金