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Development of High-temperature cBN Thin Film DevicesFor Severe Environments
恶劣环境下高温cBN薄膜器件的开发
基本信息
- 批准号：16106009
- 负责人：
- 金额：$ 72.63万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份：2004
- 资助国家：日本
- 起止时间：2004 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。
目的是建立一个基础，用于使用氮化物立方硼（CBN）薄膜创建半导体设备，这些薄膜即使在恶劣的环境中也可以运行，例如在核反应堆附近，铝被软化或暴露于较强的紫外线和粒料。将两种不同的血浆过程应用于新开发的燃气离子能量动态控制机制和杂质掺杂方法，从而通过CBN薄膜实现了第一个电导率控制，并且还发现了SI表面原子步骤的部分外观上期生长核。
项目成果
期刊论文数量（54）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ICP-CVD法によるcBN核生成・成長に及ぼす動的ガス組成費の影響
动态气体成分成本对 ICP-CVD 法 cBN 成核和生长的影响
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：野瀬健二;十倉祐紀;中村圭輔;吉田豊信
- 通讯作者：吉田豊信
Peculiar deformation characteristics of turbostratic boron nitride thin
乱层氮化硼薄层的特殊变形特性
- DOI：
- 发表时间：2005
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yang;H;Iwamoto;C;Yoshida;T
- 通讯作者：T
ICP-CVD法によるhBN薄膜堆積における結晶構造制御応物学会/春季
通过 ICP-CVD 方法/Spring 控制六方氮化硼薄膜沉积中的晶体结构
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：十倉祐紀;神原淳;吉田豊信
- 通讯作者：吉田豊信
Preparation of High Conductive Cubic Boron Nitride Thin Films by in-situ Zinc Doping
原位锌掺杂制备高导电立方氮化硼薄膜
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Nose;T. Yoshida
- 通讯作者：T. Yoshida
Electric conductivity of boron nitride thin films enhanced by in situ doping of zinc
- DOI：10.1063/1.2354009
- 发表时间：2006-09-11
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Nose, K.;Oba, H.;Yoshida, T.
- 通讯作者：Yoshida, T.
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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