Next generation mesoplasma SIEMENS technology for direct production of wafer-equivalent thin film solar cells

用于直接生产晶圆等效薄膜太阳能电池的下一代中间质西门子技术

• 批准号: 21226017
• 负责人: YOSHIDA Toyonobu
• 金额: $ 103.17万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21226017/
• 关键词: メゾプラズマ; シリコン; エピタキシャル成長; 太陽電池; シーメンス法; クラスター; 単結晶シリコン; プラズマ加工; エピタキシー; シーメンス; 収率

This project aims at the development of next generation mesoplasma SIEMENS technology for direct production of wafer-equivalent thin film solar cells. Special attentions were paid to understanding the mechanisms of the nano-cluster assisted fast rate epitaxy and also to an in-situ measurement of the absolute density of the excited atomic hydrogen, both of which are the core of the mesoplasma, together with the technological development of the cost effective production system. Based on these knowledge and understandings, we have proved the unique characteristics of mesoplasma CVD by demonstrating the ultrafast epitaxial deposition with high material yields that exceeds beyond the kinetics limit of the SIEMENS technology.

该项目旨在开发下一代中间等离子体西门子技术，用于直接生产晶圆等效薄膜太阳能电池。特别注意理解的纳米团簇辅助快速外延的机制，也是激发的原子氢的绝对密度的原位测量，这两者都是中间等离子体的核心，以及具有成本效益的生产系统的技术发展。基于这些知识和理解，我们通过展示超快外延沉积的高材料产量，超过了西门子技术的动力学极限，证明了介观等离子体CVD的独特特性。

项目成果

Nano-cluster assisted high rate and high yield Si epitaxy

纳米团簇辅助高速率高良率硅外延

• 发表时间: 2013
• 作者: M. Kambara;L.W.Chen;S.D. Wu;T. Yoshida;(Invited)
• 通讯作者: (Invited)

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Molecular Dynamics Simulation of Si Nano-Clusters in Mesoplasma High Rate And Low Temperature Epitaxy

中质硅纳米团簇高速低温外延的分子动力学模拟

• 发表时间: 2011
• 作者: L.W.Chen;M.Kambara;T.Yoshida
• 通讯作者: T.Yoshida

ナノクラスター支援メゾプラズマCVDによるパターン基板上高速単結晶Si厚膜堆積技術

使用纳米团簇辅助中间等离子体CVD在图案化基底上高速单晶硅厚膜沉积技术

• 发表时间: 2012
• 作者: L.W.Chen;M.Kambara;T.Yoshida
• 通讯作者: T.Yoshida

Feasibility study of mesoplasma CVD for direct production of high pure Si thin films from trichlorosilane

三氯氢硅介质CVD直接制备高纯硅薄膜的可行性研究

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Kambara;J.Fukuda;T.Yamamoto;T.Yoshida
• 通讯作者: T.Yoshida