相変化による超高速光スイッチ

使用相变的超快光开关

基本信息

项目摘要

(1)試料作製相変化による超高速光スイッチの実現を目指し、光メモリーで実績のあるGe-Sb-Te系カルコゲナイド薄膜を作製した。最適な結晶化条件を探るため、膜厚を1nmから1μmの領域で変化させた。さらに製膜条件による違いを明らかにするため、スパッタ時の印加電圧、基板加熱、高真空、高純度アルゴンガスの影響を調べた。結晶化条件は膜厚、印加電圧に依存することが明らかになった。(2)光学的性質アモルファス相と結晶の光学的性質、特に光通信で用いられる1.3μm〜1.5μm領域の光学損失について分光透過率測定装置および光熱偏向分光法を用いて詳しく調べた。その結果、アモルファスと結晶の光学バンドギャップには0.2eVの差異があること、アモルファス相のギャップ内準位およびバンドテイルの吸収が光学損失に影響することがわかった。(3)短パルス光による相変化過程短パルス光による高速相変化の電子励起過程の観測を試みた。平成16年度に設備備品として購入したパルスジェネレーターにより、高速相変化に関する予備実験を行ない、50nsでの結晶化に成功した。なお、構造評価には北海道大学共同利用施設の高エネルギーX線回折装置ならびにラマン散乱装置を利用し、結晶構造には組成変化の有無により2種類の形態が存在することを明らかにした。原子間力顕微鏡から形状変化が確認でき、大きな構造変化をともなう現象であることがわかった。
(1) the sample make system phase - に よ る ultra-high-speed optical ス イ ッ チ の be presently を refers し, light メ モ リ ー で be performance の あ る Ge - Sb - Te カ ル コ ゲ ナ イ ド film を cropping し た. The optimal な crystallization conditions を explore るため, film thickness を1nm ら ら1μm で variation させた. さ ら に membrane conditions に よ る) い を Ming ら か に す る た め, ス パ ッ タ の Inca 圧, substrate when heating, high vacuum, high purity ア ル ゴ ン ガ ス の influence を adjustable べ た. The crystallization conditions に film thickness and Inca voltage に depend on する とが とが and ら ら になった. (2) the nature of the optical ア モ ル フ ァ ス crystallization phase と の optical properties, especially に optical communication で い ら れ る の 1.3 mu m ~ 1.5 mu m field optical loss に つ い て spectral transmittance measurement device お よ び solar-thermal bias spectrometry を with い て detailed し く adjustable べ た. そ の results, ア モ ル フ ァ ス と crystallization の optical バ ン ド ギ ャ ッ プ に は 0.2 eV の differences が あ る こ と, ア モ ル フ ァ ス phase の ギ ャ ッ in quasi プ お よ び バ ン ド テ イ ル の suction 収 が optical loss に influence す る こ と が わ か っ た. (3) short パ ル ス light に よ る phase - process short パ ル ス light に よ る の electronic excitation on the high-speed phase - process の を 観 test try み た. Pp.47-53 16 year に equipment spare parts と し て buy し た パ ル ス ジ ェ ネ レ ー タ ー に よ り, high-speed phase - に masato す る reserve be 験 を line な い, 50 ns で の crystallization に successful し た. な お, structure evaluation 価 に は Hokkaido university jointly using a high set の エ ネ ル ギ ー X-ray inflexion device な ら び に ラ マ ン scattered device using を し, crystal structure に は composition variations change の presence of に よ り 2 types の form が す る こ と を Ming ら か に し た. Interatomic force 顕 micromirror か ら shape - the が confirm で き, big き な structure - the を と も な う phenomenon で あ る こ と が わ か っ た.

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Minimal Phase-Change Marks Produced in Amorphous Ge2Sb2Te5 Films
  • DOI:
    10.1143/jjap.43.l818
  • 发表时间:
    2004-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    T. Gotoh;K. Sugawara;Keiji Tanaka
  • 通讯作者:
    T. Gotoh;K. Sugawara;Keiji Tanaka
Nanoscale phase change in telluride films induced with scanning tunneling microscopes.
用扫描隧道显微镜诱导碲化物薄膜的纳米级相变。
Nano-scale phase changes in Ge-Sb-Te films with electrical scanning probe microscopes
使用电扫描探针显微镜观察 Ge-Sb-Te 薄膜的纳米级相变
相変化型DVD-その発展と将来-
相变DVD-它的发展和未来-
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    菅原健太郎;田中啓司;後藤民浩
  • 通讯作者:
    後藤民浩
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