ハーフメタルホイスラー合金を用いた人工ナノ構造における磁気伝導の研究
ハーフメタルホイスラー合金を用いた人工ナノ構造における磁気伝導の研究
批准号:
05F05366
负责人:
高梨 弘毅
金额:
$1.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2006
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英文摘要
近年ハーフメタルがスピンエレクトロニクスを中心とする工学・理学分野において注目されており、現在世界中で活発な研究が行われている。フルホイスラー合金は、キュリー温度が高いことに加えて、ハーフメタル特性が実験的に確認されているため、特に重要視されている物質系である。本研究では、明瞭なハーフメタル性の発現が期待されるフルホイスラー合金の一つであるCo2MnSiに関して、高品位化および新機能開拓に関する実験を行った。高品位化に関しては、不純物元素の混入がCo2MnSi薄膜の特性に及ぼす影響を検討した。例としてAuの場合、バッファー層にAuを用いると膜の平坦性が向上し高品位化に有用であるが、Co2MnSi層との間にCr等の拡散防止層を挿入しなければCo2MnSi中に拡散し、磁化の減少を生じることが示唆された。新機能開拓に関しては、Co2MnSi/Cr/Co2MnSi 3層膜の層間磁気結合の系統的な実験データの取得とその数値シミュレーションを用いた解析により、Co2MnSi/Cr/Co2MnSi 3層膜には180度結合の寄与はほとんどなく、90度結合が支配的であることが分かった。また、その90度結合のエネルギーが180度結合並みに大きいこと、Cr中間層厚に対して振動的に変化し、その振動周期が3.2-3.5nmと長いこと等の特徴も明らかになった。180度結合が生じないことは、コバルト基フルホイスラー合金系のハーフメタルの特徴である可能性があり、ハーフメタルとしての品位を層間磁気結合によって評価できる可能性を示している。
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会议论文
Numerical simulation of magnetizxation process in epitaxial Co2MnSi/Cr/Co2MnSi trilayers with oscillatory interlayer coupling
振荡层间耦合外延 Co2MnSi/Cr/Co2MnSi 三层膜磁化过程的数值模拟
DOI:
--
发表时间:
期刊:
Journal of Applied Physics (in press)
影响因子:
--
作者:
[D. Muramatsu, F. Zhang, H. M. Shahin, H.M.Shahin et al., H.M.Shahin et al., H.M.Shahin et al., H.M.Shahin et al., H.M.Shahin et al., H.M.Shahin, E.Sung他, H.M.Shahin, H. M. Shahin, H. M. Shahin, H. M. Shahin, H. M. Shahin, Liu Yi, H.Wang]
通讯作者:
H.Wang
DOI:
10.1063/1.2719606
发表时间:
2007-04
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[H. Wang;A. Sato;Kyosuke Saito;S. Mitani;K. Takanashi;K. Yakushiji]
通讯作者:
H. Wang;A. Sato;Kyosuke Saito;S. Mitani;K. Takanashi;K. Yakushiji
Pioneering development of electromagnetic functions in high entropy alloys
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批准号:21K18180
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额:$16.64万
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财政年份:2021
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负责人:高梨 弘毅
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依托单位:
Fabrication of Antiferromagnetically-coupled metallic superlattices for highly efficient spin orbit torque
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批准号:18H03831
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.54万
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财政年份:2018
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负责人:高梨 弘毅
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依托单位:
L10型鉄白金規則合金を用いた垂直偏極スピン注入とスピン流制御
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批准号:09F09295
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2009
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负责人:高梨 弘毅
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依托单位:
静電容量変化を利用した磁気スイッチング単電子素子の開発
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批准号:17651081
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:高梨 弘毅
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依托单位:
自己形成による磁性ナノドットの作製とスピン依存単一電子トンネルの研究
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批准号:02F00798
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2002
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负责人:高梨 弘毅
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依托单位:
スパッタ法によるホイスラー合金系人工格子多層膜の作成とその基板温度依存性
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批准号:62740163
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:高梨 弘毅
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依托单位:
海外基金