有機ヘテロ接合界面における有機分子の配向性及び電子準位接続に関する研究

有机异质结界面有机分子取向及电子能级连接研究

基本信息

  • 批准号:
    05J07823
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

今年度は、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)と各種金属(金,銀,銅)界面の界面電子構造(真空準位シフトや界面準位形成)を紫外光電子分光により調べたところ、金属d電子帯とPTCDAの電子準位(最高占有準位(HOMO)・最低非占有準位(LUMO))の相互作用が、界面電子構造を決める上で非常に重要であることが分かった。つまり、(1)引力的な相互作用(金属d電子帯とPTCDAのLUMO間の相互作用)と、(2)斥力的な相互作用(軌道の直交化エネルギー)のバランスによって界面電子構造が決定されることが分かった。PTCDA/金界面では、斥力的な相互作用が強く、引力的な相互作用は弱いため、吸着エネルギーの小さい物理吸着系であり、この界面における真空準位シフトは金属表面に染み出た電子雲が、有機分子吸着により押し戻される「押し戻し効果」によるものと考えられる。一方、PTCDA/銀,銅界面では、斥力的な相互作用は弱いが、引力的な相互作用が強いため、吸着エネルギーが大きい化学吸着系となる。UPSスペクトルには金属とPTCDAの電子軌道が混成した界面特有の電子構造(界面準位)が観測された。それにより「界面準位への電荷の再分配」が起こり、真空側が負に帯電する分極が生じ、電気二重層が形成されたことが、PTCDA/銀,銅界面における真空準位シフトの主要因であると考えられる。以上のように、金属d電子が関連している、引力的・斥力的な相互作用を見積もることで、観測された界面電子構造を説明できることが分かった。本研究によって、これまで詳細が不明であった有機/金属界面電子構造の重要な決定要因である、有機分子と金属表面電子との相互作用を明らかにすることができた。これらは、昨今の有機電子デバイスの研究・開発においても重要な知見となる。
This year, 3, 4, 9, 10, 4, 4, 9, 10, 10, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 4, 9, 10, 4, 4, 4, 4, 9, 10 Interface electron alignment (vacuum alignment alignment formation) ultraviolet photoelectron spectroscopy (UV spectroscopy), metal d electron PTCDA alignment (highest occupancy alignment (HOMO), lowest non-occupancy alignment (LUMO)) interaction, interface electronics fabrication decision is very important. The interaction of gravitation, (1) the interaction of gravitation (metal d-electron interaction), (2) the interaction of repulsion (direct PTCDA), (2) the interaction of repulsion force, (1) the interaction of gravitation, (1) the interaction of gravitation, (2) the interaction of repulsion, (2) the interaction of repulsion. The PTCDA/ gold interface is sensitive, the repulsive interaction is strong, the gravitational interaction is weak, the suction temperature is small, the physical absorption is tight, the interface temperature is vacuum, the metal surface is stained with a computer, and the organic molecules are attracted to the metal surface. One side, the PTCDA/, the interface, the weak interaction of the repulsive force, the strong interaction of the gravity, the absorption and the chemisorption system. UPS electronic devices are used for metal PTCDA electronic devices. The interface is unique to electronic devices (interface alignment). The interface prepares for the redistribution of electrical charge, the vacuum generator, the vacuum generator, and the double generator of the computer form the vacuum generator, the PTCDA/, and the interface, which is mainly due to the failure of the vacuum alignment test. The above devices, metal d electrons, the interaction of gravitational repulsion, the interaction of gravitational repulsion, and the interface electrons are used to make clear signals. The purpose of this study is to determine the importance of the interaction between organic molecules and metal surface electrons. in this study, it is important to determine that the interaction between organic molecules and metal surface electrons is important because of the interaction between organic molecules and metal surface electrons. Today, yesterday and today, there was an opportunity for the computer to conduct a research program on important information.

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Epitaxial growth of hexadecafluorozincphthalocyanine(F_<16>ZnPc)film deposited on GeS(001)
GeS(001)上外延生长十六氟锌酞菁(F_<16>ZnPc)薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tokuji Araya;Ryo Takahashi;Yuji Yoshino;Ryo Takahashi;Ryo Takahashi;Ryo Takahashi;長瀬 由美;長瀬由美;日向一雅 編;Eiji Kawabe
  • 通讯作者:
    Eiji Kawabe
有機薄膜/金属界面に形成される界面電気二重層の成因の解明
阐明有机薄膜/金属界面形成的界面双电层的起源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tokuji Araya;Ryo Takahashi;Yuji Yoshino;Ryo Takahashi;Ryo Takahashi;Ryo Takahashi;長瀬 由美;長瀬由美;日向一雅 編;Eiji Kawabe;Eiji Kawabe;河邊 英司
  • 通讯作者:
    河邊 英司
The Electronic Structure and The Energy Level Alignment at The Interface Between Organic Molecules and Metals
有机分子与金属界面的电子结构和能级排列
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    E.Kawabe
  • 通讯作者:
    E.Kawabe
PTCDA/金属界面における真空準位シフトの定量的解析
PTCDA/金属界面真空能级变化的定量分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tokuji Araya;Ryo Takahashi;Yuji Yoshino;Ryo Takahashi;Ryo Takahashi;Ryo Takahashi;長瀬 由美;長瀬由美;日向一雅 編;Eiji Kawabe;Eiji Kawabe;河邊 英司;河邊 英司
  • 通讯作者:
    河邊 英司
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

河辺 英司 (2007)其他文献

河辺 英司 (2007)的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似国自然基金

锌离子电池有机添加剂的高通量筛选与分子-金属界面动态机制的多尺度
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
宽温域下功能化无溶剂纳米流体/聚合物-金属界面转移膜演变规律研 究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
倒置型氧化物-双金属界面的精准构筑及CO2加氢性能研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
缺陷对二维半导体/金属界面力学行为的影响及力电协同优化
  • 批准号:
    12302133
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
反铁磁绝缘插层对铁磁/重金属界面自旋轨道力矩效应调控的微观机理研究
  • 批准号:
    LY23A040008
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
钯基异质金属界面析氢动力学及氢气传感器研究
  • 批准号:
    52375148
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    50 万元
  • 项目类别:
    面上项目
利用STM研究拓扑材料/金属界面超导电性的演化机制
  • 批准号:
    12374133
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    53.00 万元
  • 项目类别:
    面上项目
内爆驱动金属界面多不稳定性耦合效应
  • 批准号:
    12372353
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    52 万元
  • 项目类别:
    面上项目
氮化硅陶瓷/金属界面梯度过渡层设计与热疲劳机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
功能化双核咪唑离子液体增强电控固体推进剂/金属界面粘结性能及机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

Ethylene Selective Carbon Dioxide Reduction Reaction on Redox Active Polymer/Metal Interface with Atomic Hydrogens
氧化还原活性聚合物/金属界面与原子氢的乙烯选择性二氧化碳还原反应
  • 批准号:
    23KJ0227
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ホウ素と磁性金属界面の作製とその偏極光電子によるスピン伝導測定
硼和磁性金属之间界面的制造以及使用偏振光电子测量自旋传导
  • 批准号:
    22K04928
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
spin-charge currents interconversion at molecule/metal interface
分子/金属界面处的自旋电荷电流相互转换
  • 批准号:
    19K15431
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Bi/非磁性金属界面で顕在化するラシュバ効果を用いた新奇スピン変換物性の研究
利用 Bi/非磁性金属界面上明显的 Rashba 效应研究新型自旋转换特性
  • 批准号:
    18J22975
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高い面外異方性を有するπ共役系分子の創製と有機-金属界面化学への応用
具有高面外各向异性的π共轭分子的创建及其在有机金属界面化学中的应用
  • 批准号:
    18J13781
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Dynamic monitoring of the annealing processes between SiC/metal interface
动态监测SiC/金属界面之间的退火过程
  • 批准号:
    26630132
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Revealing the mechanims of the charge-transfer state formation at organic pai-conjugated molecules/metal interface
揭示有机配对分子/金属界面电荷转移态形成的机制
  • 批准号:
    25870034
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Preparation of high-resolution radiation detector by the control of CdTe-metal interface states
CdTe-金属界面态控制制备高分辨率辐射探测器
  • 批准号:
    24560061
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Current injection at the graphene/metal interface with the large difference in DOSs
DOSs差异较大的石墨烯/金属界面处的电流注入
  • 批准号:
    24686039
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Carburation phenomenon at the cathode block / metal interface
阴极块/金属界面的渗碳现象
  • 批准号:
    392317-2010
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了