Preparation of high-resolution radiation detector by the control of CdTe-metal interface states

CdTe-金属界面态控制制备高分辨率辐射探测器

基本信息

  • 批准号:
    24560061
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.49万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
CdTe上へのショットキー電極形成における表面処理の影響
表面处理对 CdTe 肖特基电极形成的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    江崎麦,山里将朗,比嘉晃
  • 通讯作者:
    江崎麦,山里将朗,比嘉晃
硫黄処理したCdTe結晶表面状態の分析
硫处理 CdTe 晶体的表面状态分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Rodrigo Sato;Masato Ohnuma;Keiji Oyoshi;Yoshihiko Takeda;江崎麦
  • 通讯作者:
    江崎麦
CdTe結晶上へのMg電極形成と特性評価
CdTe晶体上Mg电极的形成及特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hironori Ohba;Morihisa Saeki;Ikuo Wakaida;Rie Tanabe;and Yoshiro Ito;町田香奈子,山里将朗,比嘉晃
  • 通讯作者:
    町田香奈子,山里将朗,比嘉晃
Effect of plasma treatment on the formation of schottky contacts on CdTe surface for Radiation Detector
等离子体处理对辐射探测器CdTe表面肖特基接触形成的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Yamazato;M. Ezaki;A. Higa
  • 通讯作者:
    A. Higa
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