Development of two-axis hall sensor array and magnetic field visualization system

两轴霍尔传感器阵列及磁场可视化系统开发

基本信息

  • 批准号:
    17360165
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The Hall sensor is very convenient magnetic sensor for measuring current density in a non-destructive and contactless way. It is widely used to estimate the current density distribution or the magnetic properties of superconducting material, and many measurement methods using Hall sensor have been reported In order to realize a highly functional measuring system with real time and high spatial resolution, and to estimate properties of superconducting film with complex structure or pattern, it is very important to develop a novel Hall sensor array with small size, plane structure and two or three axis. Recently, the new LSI manufacture technology combining with bonding technology such as system on chip (SoC), system in package (SiP) has been developed Using this technology, the highly functional semiconductor devices with new structure, small size and low cost can be realized Therefore, we developed a two-axis Hall sensor array using epitaxial liftoff (ELO) film bonding technology. The Hall sensor array was fabricated on the Si substrate with plane structure and ran measure directly axial and radial magnetic field components. And we have been developing the magnetic field measurement and visualization system with Hall sensor probes to study the critical current density distribution or magnetic properties of high temperature superconducting films.
霍尔传感器是一种非常方便的磁传感器,可以无损、非接触地测量电流密度。它被广泛用于测量超导材料的电流密度分布或磁性能,已有许多基于霍尔传感器的测量方法被报道,为了实现高功能的实时、高空间分辨率的测量系统,以及对具有复杂结构或图案的超导薄膜的性能估计,开发一种小尺寸、平面结构的新型霍尔传感器阵列具有非常重要的意义。近年来,片上系统(SoC)、系统在封装(SiP)等键合技术与大规模集成电路制造技术相结合的新技术应运而生,可以实现结构新颖、体积小、成本低的高功能半导体器件。为此,我们利用外延剥离(ELO)薄膜键合技术研制了两轴霍尔传感器阵列。霍尔传感器阵列是在具有平面结构的硅衬底上制作的,可以直接测量轴向和径向磁场分量。为了研究高温超导薄膜的临界电流密度分布或磁性质,我们一直在开发霍尔传感器探头磁场测量和可视化系统。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Simple Measurement of the AC Transport Current Loss for HTS Conductors Using an Active Power Detection Method
使用有功功率检测方法简单测量 HTS 导体的交流传输电流损耗
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K.;Koh;S.;B.;Kim;K.;Hohkawa;N. Nanato
  • 通讯作者:
    N. Nanato
第三高調波誘導電圧法による薄膜高温超電導体の臨界電流密度の空間分布特性測定
三次谐波感应电压法测量薄膜高温超导体临界电流密度空间分布特征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N.;Nanato;T.;Ozawa;S.;Murase;S.;B.;Kim;七戸 希;S.B.Kim;S.B.Kim;N.Nanato;中野敏也;高野 力
  • 通讯作者:
    高野 力
Development of a New Type of the Third Harmonic Voltage Method for Noncontact Jc Measurement by using Data Acquisition System
利用数据采集系统开发新型非接触式Jc测量三次谐波电压法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroyuki;Nikkuni;et. al.;SeokBeom Kim;Manabu Hayashi;Jin-Hong Joo;SeokBeom Kim;Jin-Hong Joo
  • 通讯作者:
    Jin-Hong Joo
事前曲げを加えたNb3Sn複合超電導線材の歪解析
Nb3Sn复合超导线材预弯应变分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Manabu;Hayashi;et. al.;岡田一星
  • 通讯作者:
    岡田一星
Three-directional FEM analysis of pre-bending effects for Nb3Sn composite wires
Nb3Sn复合丝预弯效应的三向有限元分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Wakahara;K. Takemoto;F. Oikawa;H. Okada;T. Ohshima;and H. Itoh;S. Murase
  • 通讯作者:
    S. Murase
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

KIM SeokBeom其他文献

KIM SeokBeom的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究:利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
  • 批准号:
    2342747
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
  • 批准号:
    10099437
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    EU-Funded
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
RII Track-4:NSF:在单个蓝宝石平台上开发用于集成微波光子学的半导体激光器和无源器件
  • 批准号:
    2327229
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段:用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
  • 批准号:
    2335588
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎:佛罗里达州中部半导体创新引擎
  • 批准号:
    2315320
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
ERI: A Machine Learning Framework for Preventing Cracking in Semiconductor Materials
ERI:防止半导体材料破裂的机器学习框架
  • 批准号:
    2347035
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Semiconductor on Nitride PhoXonic Integrated Circuit (SONIC) Platform for Chip-Scale RF and Optical Signal Processing
职业:用于芯片级射频和光信号处理的氮化物 PhoXonic 集成电路 (SONIC) 平台上的半导体
  • 批准号:
    2340405
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.24万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了