Studies on Semiconductor Nanostructure Formed by Low-temperature Chemical Vapor Deposition and Application to Nanodevices

低温化学气相沉积半导体纳米结构及其在纳米器件中的应用研究

• 批准号: 17510107
• 负责人: FUKUDA Hisashi
• 金额: $ 2.02万
• 依托单位: Muroran Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17510107/
• 关键词: Crystal Growth; Quantum Dots; Nanodevices; Focused Ion Beam

Organic Thin Film Transistor (OTFT) memories with a nanocrystal carbon (nc-C) dots arranged in channel region were fabricated using a focused ion beam (FIB) system with a precursor of low energy Ga^+ ion and carbon source. The crystallinity of nc-C dots was investigated by Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). Raman spectra indicate the evidence of crystallization of nc-C after annealed at 600℃ by the sharp peak at 1565 cm^<-1> in graphite (sp^2), while no peak of diamond (sp^3) could be seen at 1333 cm^<-1>. The AFM images showed the nc-C dots controlled with diameter of 100 nm. The above results revealed that the nc-C dots had sufficiently stick onto SiO_2 films. The hysterisis loop in the threshold voltage characteristics appeared in the device in which voltage shift is 0.32 V after charge injection into the nc-C dots.. In next stage, we will analyze the erase step and retention characteristics.

采用低能Ga^+离子和碳源为前驱体的聚焦离子束（FIB）系统制备了沟道区排列有纳米碳（nc-C）点的有机薄膜晶体管（OTFT）存储器。利用拉曼光谱和原子力显微镜（AFM）研究了纳米碳点的结晶性。拉曼光谱表明，纳米碳在600℃退火后，在石墨（sp^2）中1565 cm ↑ [2]处出现尖锐的峰<-1>，而在1333 cm ↑ [2]处没有观察到金刚石（sp^3）峰<-1>。原子力显微镜图像显示纳米碳点控制在100 nm的直径。上述结果表明，纳米碳点已充分粘附在SiO_2薄膜上。阈值电压特性中的滞后环出现在器件中，其中在电荷注入到nc-C点之后电压偏移为0.32V。在下一阶段，我们将分析擦除步骤和保持特性。

项目成果

ぺンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用

并五苯薄膜的形成及其在有机晶体管中的应用

• 发表时间: 2007
• 期刊: 第42回応用物理学会北海道支部・第3回日本光学会北海道支部合同学術講演会予稿集
• 作者: 和井内 紀行;野坂 隆之;杉山 慶輔;下山 雄平;福田 永
• 通讯作者: 福田 永

K. Uesugi, Organic Thin Film Tranjistor Memories with Carbon Nanodots Fabricated by Focused Ion Beam Chemical Vapor

K. Uesugi，采用聚焦离子束化学蒸气制造的碳纳米点有机薄膜晶体管存储器

• 发表时间: 2007
• 作者: H. Fukuda;Ruslinda A. Rahim;Y. Tada;N. Wainai;and K.
• 通讯作者: and K.

ESR and X-ray diffraction studies on thin films of poly-3-hexylthiophene: Molecular orientation and magnetic interactions

• DOI: 10.1016/j.tsf.2007.04.067
• 发表时间: 2008-03
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: Keisuke Sugiyama;T. Kojima;H. Fukuda;H. Yashiro;T. Matsuura;Y. Shimoyama

Molecular Orientration of Copper Phthalocyanine and Perfluorinated Copper Phthalocyanine Thin Films

酞菁铜和全氟酞菁铜薄膜的分子取向

• 发表时间: 2007
• 作者: Y. Shimoyama;K. Sugiyama;S. Iizuka and H. Fukuda
• 通讯作者: S. Iizuka and H. Fukuda

有機エレクトロニクスの展開〜最新開発状況と実用化への課題〜

有机电子学的发展-最新发展现状及实际应用面临的挑战-

• 发表时间: 2007
• 作者: 小野 克彦;他
• 通讯作者: 他