Mesoskopische Strukturen und Epitaxie auf höherindizierten GaAs-Oberflächen (A 2)
Mesoskopische Strukturen und Epitaxie auf höherindizierten GaAs-Oberflächen (A 2)
高折射率 GaAs 表面的介观结构和外延 (A 2)
批准号：
5347585
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位国家：
德国
项目类别：
Collaborative Research Centres
财政年份：
1994
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
1993-12-31 至 2002-12-31
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