シリコンクラスレートによる高効率熱電発電材料の開発

利用硅包合物开发高效热电发电材料

基本信息

  • 批准号:
    17760535
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.18万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

前年度までに、Ba-Al-Siクラスレートの合成元素・組成の探索および熱処理条件の最適化を行い、すでに本研究の目標(性能指数Z=0.001K-1以上)を達成した良好な熱電性能を示した材料が作製できている。そこで本年度はその材料を素子として用いた高出力熱電発電モジュールを作製した。72個の素子をアルミナのメッシュ内に挿入し、電極で素子を電気的に直列に接合した。高温側の基板をヒーターで加熱し、低温側の基板は送風により冷却を行うことにより発電実験を行った。高温側の基板の温度が上昇するにつれて開放電圧は上昇していき、高温側基板温度が500℃の場合に約1.65Vの開放電圧が得られた。その時の低温側の基板温度は約110℃であり、送風程度の冷却で発電に必要な温度差が得られることが分かった。また、電流電圧特性を評価したところ、高温側基板温度500℃で短絡電流0.2Aとなり、約0.08Wの最大出力が得られた。さらに、サイクル特性を評価するため、高温側の基板温度を500℃まで加熱し、その後、室温まで冷却することを10回行ったが、開放電圧および短絡電流において1%以内の誤差で再現性があることが確認できた。このモジュールが実用に耐え得るかどうかを検証するため、携帯電話のリチウムイオン電池の充電試験を行った。上述の発電性能試験同様、高温側の基板をヒーターで加熱し、低温側は送風により冷却し発電を行った。得られる電圧は1.65Vであるため、リチウムイオン電池の充電に必要な5Vまで昇圧回路により昇圧を行い、携帯電話の端子に配線したが、この昇圧回路は熱電発電モジュールのみで駆動する。高温側の基板温度が約300℃に達すると携帯電話に装備されているLEDが点灯し、充電が開始されたことを示した。満充電には数時間を要したが本研究により作製された熱電発電モジュールは実用に適用できることが示された。
In the past year, Ba-Al-Si composite elements and compositions were explored and optimized for heat treatment conditions. The purpose of this study (performance index Z= 0.001K-1 or more) was achieved and excellent thermoelectric properties were demonstrated. This year's high power thermoelectric generation The 72 elements are connected in series with each other. The substrate on the high temperature side is heated, and the substrate on the low temperature side is cooled. When the temperature of the substrate on the high temperature side rises, the open voltage of about 1.65V is obtained. When the temperature of the substrate on the low temperature side is about 110℃, the temperature difference between the degree of air supply and the cooling is necessary. Current and voltage characteristics are evaluated. The maximum output is obtained when the substrate temperature is 500℃ and the short-circuit current is 0.2A. The temperature of the substrate on the high temperature side is 500 ℃, and the temperature of the substrate on the high temperature side is 500℃. The temperature of the substrate on the high temperature side is 500℃. The temperature of the substrate on the high temperature side is 500 ℃. The temperature of the substrate on the high temperature side is 500 ℃. The battery charging test for mobile phones The above electrical performance test is the same as that of the substrate on the high temperature side, and the substrate on the low temperature side is heated and cooled. A voltage of 1.65V is required for charging the battery. A voltage of 5V is required for the voltage boosting circuit. A terminal wiring of the mobile phone is required. The voltage boosting circuit is required for thermoelectric power generation. When the temperature of the substrate on the high temperature side reaches about 300℃, the LED is turned on and the charging is started. The charge time is very important for this study.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Nucleation Process During Excimer Laser Annealing of Amorphous Silicon Thin Films on Glass : A Molecular-dynamics Study
玻璃上非晶硅薄膜准分子激光退火过程中的成核过程:分子动力学研究
Crystal growth of silicon thin films on glass by excimer laser annealing : A molecular-dynamics study
通过准分子激光退火在玻璃上生长硅薄膜:分子动力学研究
Molecular-dynamics analysis of the nucleation and crystallization process of Si
  • DOI:
    10.1016/j.physb.2006.11.031
  • 发表时间:
    2007-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    Byoung-Min Lee;H. Baik;B. Seong;S. Munetoh;T. Motooka
  • 通讯作者:
    Byoung-Min Lee;H. Baik;B. Seong;S. Munetoh;T. Motooka
Thermoelectric high power generating module made by n-Ba8Al xSi46-x clathrate
n-Ba8Al xSi46-x包合物热电高发电模块
  • DOI:
    10.1557/proc-1102-ll04-30
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Munetoh;M. Arita;H. Makiyama;T. Motooka
  • 通讯作者:
    T. Motooka
Thermoelectric High Pewer Generating Module made by n-Ba_8Al_xSi_<46-x> Clathrate
n-Ba_8Al_xSi_<46-x>包合物热电高功率发电模块
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

宗藤 伸治其他文献

Sn存在下でのSPS法によるBa8CuxGe46-xクラスレートの熱電性能向上
Sn存在下SPS方法改善Ba8CuxGe46-x包合物的热电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    簑島 航平;松川 祐子;有田 誠;宗藤 伸治
  • 通讯作者:
    宗藤 伸治
p型Ba-Au-Siクラスレート試料のCZ法を用いた組成傾斜による熱電発電効果
使用 CZ 法研究 p 型 Ba-Au-Si 包合物样品的成分梯度产生的热电效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村 祐介;松川 祐子;有田 誠;宗藤 伸治
  • 通讯作者:
    宗藤 伸治
多結晶シリコンの一方向凝固組織に及ぼす双晶の影響
孪晶对多晶硅单向凝固组织的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    内野 隆志;成田 一人;宗藤 伸治;宮原 広郁
  • 通讯作者:
    宮原 広郁
Ba8AlxSi46-x単結晶の2層試料における熱電性能に対する組成の影響
Ba8AlxSi46−x 单晶两层样品成分对热电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    荒木 脩斗;松川 祐子;有田 誠;宗藤 伸治
  • 通讯作者:
    宗藤 伸治
チョクラルスキー法によるp型Ba8CuxGe46-xクラスレートの高性能化
使用 Czochralski 方法提高 p 型 Ba8CuxGe46-x 包合物的性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高木 健太郎;荒木 修斗;松川 祐子;有田 誠;宗藤 伸治
  • 通讯作者:
    宗藤 伸治

宗藤 伸治的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

直接遷移型IV族半導体クラスレートの創成と光デバイス応用
直接过渡 IV 族半导体包合物的创建和光学器件应用
  • 批准号:
    23K20952
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
High mobility thermoelectric materials: clathrates with controlled electronic structure in caged crystal structure by guest atomic orbital selection
高迁移率热电材料:通过客体原子轨道选择在笼状晶体结构中具有受控电子结构的包合物
  • 批准号:
    22K04699
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Multifaceted analysis and design of thermoelectric clathrate materials based on single crystals
基于单晶的热电笼形材料的多层面分析与设计
  • 批准号:
    21K20489
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
熱電材料開発に資するSiクラスレートの電子状態とラトリングの光電子分光による解明
通过光电子能谱阐明硅包合物的电子态和振动,为热电材料的发展做出贡献
  • 批准号:
    21K04869
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Synthesis of group IV clathrate and its application of optical devices as direct-transition semiconductor
IV族包合物的合成及其在直接跃迁半导体光学器件中的应用
  • 批准号:
    21H01365
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率太陽電池の創製に向けたシリコン系クラスレートの新規結晶育成法の確立
建立一种新的硅基包合物晶体生长方法,用于制造高效太阳能电池
  • 批准号:
    21H01825
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Control of Na contents in group IV clathrate and their electrical and optical characterizations
IV族包合物中Na含量的控制及其电学和光学表征
  • 批准号:
    20K03820
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
かご状構造を持つ熱電半導体を用いた新奇なエネルギー散逸機構の発現・制御の検討
笼状结构热电半导体新型能量耗散机制的开发与控制研究
  • 批准号:
    20K05133
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Creation of Clathrate Hybrid Thermoelectric Materials for Effective Utilization of Unused Heat
创建笼形混合热电材料以有效利用未使用的热量
  • 批准号:
    20K05136
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Three-dimensional behavior analysis of stable and metastable structures of clathrate hydrates
笼形水合物稳定和亚稳结构的三维行为分析
  • 批准号:
    20K05440
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.18万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了