课题基金 / 基金详情

シリコンクラスレートによる高効率熱電発電材料の開発

シリコンクラスレートによる高効率熱電発電材料の開発
利用硅包合物开发高效热电发电材料
批准号:
17760535
负责人:
宗藤 伸治
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2007

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
前年度までに、Ba-Al-Siクラスレートの合成元素・組成の探索および熱処理条件の最適化を行い、すでに本研究の目標(性能指数Z=0.001K-1以上)を達成した良好な熱電性能を示した材料が作製できている。そこで本年度はその材料を素子として用いた高出力熱電発電モジュールを作製した。72個の素子をアルミナのメッシュ内に挿入し、電極で素子を電気的に直列に接合した。高温側の基板をヒーターで加熱し、低温側の基板は送風により冷却を行うことにより発電実験を行った。高温側の基板の温度が上昇するにつれて開放電圧は上昇していき、高温側基板温度が500℃の場合に約1.65Vの開放電圧が得られた。その時の低温側の基板温度は約110℃であり、送風程度の冷却で発電に必要な温度差が得られることが分かった。また、電流電圧特性を評価したところ、高温側基板温度500℃で短絡電流0.2Aとなり、約0.08Wの最大出力が得られた。さらに、サイクル特性を評価するため、高温側の基板温度を500℃まで加熱し、その後、室温まで冷却することを10回行ったが、開放電圧および短絡電流において1%以内の誤差で再現性があることが確認できた。このモジュールが実用に耐え得るかどうかを検証するため、携帯電話のリチウムイオン電池の充電試験を行った。上述の発電性能試験同様、高温側の基板をヒーターで加熱し、低温側は送風により冷却し発電を行った。得られる電圧は1.65Vであるため、リチウムイオン電池の充電に必要な5Vまで昇圧回路により昇圧を行い、携帯電話の端子に配線したが、この昇圧回路は熱電発電モジュールのみで駆動する。高温側の基板温度が約300℃に達すると携帯電話に装備されているLEDが点灯し、充電が開始されたことを示した。満充電には数時間を要したが本研究により作製された熱電発電モジュールは実用に適用できることが示された。
英文摘要
前年度までに、Ba-Al-Siクラスレートの合成元素・組成の探索および熱処理条件の最適化を行い、すでに本研究の目標(性能指数Z=0.001K-1以上)を達成した良好な熱電性能を示した材料が作製できている。そこで本年度はその材料を素子として用いた高出力熱電発電モジュールを作製した。72個の素子をアルミナのメッシュ内に挿入し、電極で素子を電気的に直列に接合した。高温側の基板をヒーターで加熱し、低温側の基板は送風により冷却を行うことにより発電実験を行った。高温側の基板の温度が上昇するにつれて開放電圧は上昇していき、高温側基板温度が500℃の場合に約1.65Vの開放電圧が得られた。その時の低温側の基板温度は約110℃であり、送風程度の冷却で発電に必要な温度差が得られることが分かった。また、電流電圧特性を評価したところ、高温側基板温度500℃で短絡電流0.2Aとなり、約0.08Wの最大出力が得られた。さらに、サイクル特性を評価するため、高温側の基板温度を500℃まで加熱し、その後、室温まで冷却することを10回行ったが、開放電圧および短絡電流において1%以内の誤差で再現性があることが確認できた。このモジュールが実用に耐え得るかどうかを検証するため、携帯電話のリチウムイオン電池の充電試験を行った。上述の発電性能試験同様、高温側の基板をヒーターで加熱し、低温側は送風により冷却し発電を行った。得られる電圧は1.65Vであるため、リチウムイオン電池の充電に必要な5Vまで昇圧回路により昇圧を行い、携帯電話の端子に配線したが、この昇圧回路は熱電発電モジュールのみで駆動する。高温側の基板温度が約300℃に達すると携帯電話に装備されているLEDが点灯し、充電が開始されたことを示した。満充電には数時間を要したが本研究により作製された熱電発電モジュールは実用に適用できることが示された。
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会议论文
Nucleation Process During Excimer Laser Annealing of Amorphous Silicon Thin Films on Glass : A Molecular-dynamics Study
玻璃上非晶硅薄膜准分子激光退火过程中的成核过程:分子动力学研究
DOI: --
发表时间: 2006
期刊: Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 0958
影响因子: --
作者: [S.Munetoh, T.Mitani, T.Kuranaga, T.Motooka]
通讯作者: T.Motooka
Crystal growth of silicon thin films on glass by excimer laser annealing : A molecular-dynamics study
通过准分子激光退火在玻璃上生长硅薄膜:分子动力学研究
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: Japanese Journal of Applied Physics 45(2006年発行予定)
影响因子: --
作者: [S.Munetoh, T.Kuranaga, B.M.Lee, T.Motooka, T.Endo, T.Warabisako]
通讯作者: T.Warabisako
DOI: 10.1016/j.physb.2006.11.031
发表时间: 2007-04
期刊: Physica B-condensed Matter
影响因子: 2.8
作者: [Byoung-Min Lee;H. Baik;B. Seong;S. Munetoh;T. Motooka]
通讯作者: Byoung-Min Lee;H. Baik;B. Seong;S. Munetoh;T. Motooka
DOI: 10.1557/proc-1102-ll04-30
发表时间: 2008
期刊: MRS Proceedings
影响因子: --
作者: [S. Munetoh, M. Arita, H. Makiyama, T. Motooka]
通讯作者: T. Motooka
共 7 条
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