ケイ素を含むパイ共役電子系の構造修飾による機能開拓

通过含硅π共轭电子系统的结构修饰探索功能

• 批准号: 06J06666
• 负责人: 山田 洋
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J06666/
• 关键词: ラダー型π電子系; 固体構造修飾; ケイ素; ホスホニウム; ボラート; 双性イオン架橋; ラダ-型π電子系; 固定構造修飾; ボレート; 双極性架橋; オリゴ(p-フェニレンビニレン); カスケード環化反応; 構造特性; 構造・配向の制御; アルキル鎖; パッキング構造; 疎水的相互作用; 自己組織化構造

ラダー型π電子系は,強固で平面性の高い骨格に由来して,強い発光や高い電荷輸送性といった物性が期待できる.本研究ではこれまで,固体構造の修飾を目的に,架橋元素としてケイ素を用いたラダー型π電子系の固体状態での構造・配向の制御について検討してきた.また,特異な電子構造をもつ新たなラダー型π電子系の開発にも取り組み,ホスホニウムおよびボラートという双性イオンで架橋したスチルベンの合成を達成してきた.本年度は,この双性イオン架橋ラダーπ電子系について,基本骨格としての潜在性を示すことを目的として,二光子吸収特性の評価を行った.双性イオン架橋ラダーπ電子系は,双性イオン構造の効果により大きく分極した電子構造を有していることから,二光子吸収材料として期待できる骨格である.一連の双性イオン架橋ジスチリルベンゼン誘導体を前年度に開発した連続型カスケード反応により新たに合成し,それらの二光子吸収特性について,架橋元素の位置が及ぼす効果の解明,および長波長領域での優れた二光子吸収特性を示す誘導体の創製という二点に焦点を当てて検討した.前者においては,何れの誘導体も,ホスホニウムおよびボラートの架橋構造の順番によらず,850nmにおいて大きな二光子吸収断面積を示し,この骨格の有用性が明らかとなった.また,後者においては,ジスチリルベンゼンの両端のベンゼン環をチオフェン環に置き換えた誘導体が,1200nmにおいて784GMという大きな値を示した.これらは,双性イオン架橋修飾が,優れた二光子吸収材料を得るための手法として有用であることを示す結果である.

The π-type electron system has strong planarity and high dielectric properties, strong luminescence and high charge transport properties. For the purpose of solid structure modification, the structure and alignment control of solid state π electron system with bridging elements are studied. In the development of π-type electron system, the special electronic structure is developed, and the synthesis of bridging elements is achieved. This year, the two-photon absorption properties of the electron system were evaluated. Bipolar bridging electron system, bipolar electron structure and effect, two-photon absorption material and expectation. A new type of two-photon absorption property was developed in the previous year. The position of the bridging element and the effect of the two-photon absorption property in the long wavelength region were analyzed. The two-photon absorption property was demonstrated. The former is a kind of inducer, and the structure of the bridge structure of the light source is in order. The two-photon absorption area at 850nm is large. The usefulness of the structure is obvious. In the latter case, it is shown that the wavelength of the induced substance is 1200nm and the wavelength of the induced substance is 784 nm. This is a two-way bridge.

项目成果

Phosphonium- and borate-bridged zwitterionic ladder stilbene and its extended analogues

• DOI: 10.1002/anie.200801834
• 发表时间: 2008-01-01
• 期刊: ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION
• 影响因子: 16.6
• 作者: Fukazawa, Aiko;Yamada, Hiroshi;Yamaguchi, Shigehiro
• 通讯作者: Yamaguchi, Shigehiro

Synthesis and Crystal Structures of Alkyl-Substituted Si-Bridged Distyrylbenzenes

烷基取代硅桥联二苯乙烯苯的合成和晶体结构

• 发表时间: 2007
• 作者: Hiroshi Yamada;Caihong Xu;Atsushi Wakamiya;Shigehiro Yamaguchi
• 通讯作者: Shigehiro Yamaguchi

Zwitterionic Ladder Oligo (p-phenylenevinylene) s

两性离子阶梯寡聚体（对亚苯基亚乙烯基）

• 发表时间: 2008
• 作者: Hiroshi Yamada;Aiko Fukazawa;and Shigehiro Yamaguchi
• 通讯作者: and Shigehiro Yamaguchi

分子内二重環化反応による双極性架橋スチルベンの合成

分子内双环化反应合成偶极桥联二苯乙烯

• 发表时间: 2008
• 作者: ○山田 洋;深澤 愛子;山口 茂弘
• 通讯作者: 山口 茂弘

Structural Modification of Silicon-Bridged Ladder Stilbene Oligomers and Distyrylbenzenes.

硅桥梯形二苯乙烯低聚物和二苯乙烯基苯的结构改性。

• 发表时间: 2009
• 期刊: Macro. Chem. Phys (in press)
• 作者: H. Yamada;C. xu;A. Fukazawa;A. Wakamiya;S. Yamaguchi
• 通讯作者: S. Yamaguchi