単一電子入力・単一電子出力型記憶素子の研究

平成13年度は、有機金属気相成長(MOVPE)選択成長法により高密度量子ナノ構造の形成技術を確立すること、それを利用した単電子トランジスタの基本的特性や物理を解明すること、および、それらを回路へと応用することを目的として、以下の研究を行った。1.MOVPE選択成長のマスクパターンを適切に設計することにより、高密度GaAs量子ドットアレイや、高密度の量子ドット-量子細線結合構造アレイの形成を試みた。作製された構造のカソードルミネセンス測定から、量子ナノ構造が設計通りに形成されていることが確認された。2.上記の形成技術を基盤として、量子ドットによる単電子トランジスタを形成し、その伝導特性を極低温において詳細に測定した。明瞭なクーロン振動・クーロンダイアモンドが確認されるとともに、ある条件下では、非常に強い量子ドットにおける近藤効果が観測された。特に、強磁場中で観測された近藤効果においては、その微分コンダクタンス特性の零バイアス付近に特異なディップ構造を観測し、それが2段階近藤効果に起因していることを明らかにした。3.相補型インバーター回路への応用を目的として、上記の単電子トランジスタを、2個同一基板上に集積化し、直列接続した回路を試作した。2つの単電子トランジスタの相補的動作を確認し、相補型単電子インバーター回路実現への見通しを得た。

平成13年度は、有機金属気相成長(MOVPE)選択成長法により高密度量子ナノ構造の形成技術を確立すること、それを利用した単電子トランジスタの基本的特性や物理を解明すること、および、それらを回路へと応用することを目的として、以下の研究を行った。1.MOVPE選択成長のマスクパターンを適切に設計することにより、高密度GaAs量子ドットアレイや、高密度の量子ドット-量子細線結合構造アレイの形成を試みた。作製された構造のカソードルミネセンス測定から、量子ナノ構造が設計通りに形成されていることが確認された。2.上記の形成技術を基盤として、量子ドットによる単電子トランジスタを形成し、その伝導特性を極低温において詳細に測定した。明瞭なクーロン振動・クーロンダイアモンドが確認されるとともに、ある条件下では、非常に強い量子ドットにおける近藤効果が観測された。特に、強磁場中で観測された近藤効果においては、その微分コンダクタンス特性の零バイアス付近に特異なディップ構造を観測し、それが2段階近藤効果に起因していることを明らかにした。3.相補型インバーター回路への応用を目的として、上記の単電子トランジスタを、2個同一基板上に集積化し、直列接続した回路を試作した。2つの単電子トランジスタの相補的動作を確認し、相補型単電子インバーター回路実現への見通しを得た。