Induced Charge Evaluation for the Development of Particle Detectors Fabricated on Silicon Carbide

碳化硅颗粒探测器开发的感应电荷评估

• 批准号: 18360458
• 负责人: OHSHIMA Takeshi
• 金额: $ 10.85万
• 依托单位: Japan Atomic Energy Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360458/
• 关键词: 放射線理工学; 耐放射線性検出器; 炭化ケイ素(SiC); p^+n及びn^+pダイオード; 電荷収集効率; 照射損傷; 非イオン化エネルギー損失; n^+pダイオード; イオン誘起過渡電流(TIBIC); 電荷収集効率(CCE); 少数キャリア拡散長; イオンビーム誘起過度電流(TIBIC)

耐放射線性炭化ケイ素(SiC)粒子検出器開発に必要な基礎データとして、ベータ線、アルファ線及びイオン入射により、SiCダイオードに発生する電荷の収集効率(CCE)を調べた。アルファ線等では、ほぼ100%のCCEを観測しSiCの検出器応用の有効性を実証した。一方、Niのような重イオンではSiCの物性に起因するCCEの低下が見出された。更に、電子線等により損傷を加えたSiCダイオードのCCE低下を調べ、優れた耐性を明らかにした。

Resistant to radiation linear carbonized ケ イ element (SiC) particle 検 extractor open 発 に な necessary basic デ ー タ と し て, ベ ー タ line, ア ル フ ァ line and び イ オ ン incident に よ り, SiC ダ イ オ ー ド に 発 raw す る charge の 収 set working rate (CCE) を adjustable べ た. ア ル フ ァ line で は, ほ ぼ 100% の CCE を 観 measuring し SiC の 検 extractor 応 with の have sharper sex を card be し た. One party, Ni <s:1> ような heavy <s:1> で で SiC <s:1> physical properties に cause する low するCCE <s:1> to be seen された. More に, electronic line に よ を り damage plus え た SiC ダ イ オ ー ド の CCE low を べ, optimal れ た patience を Ming ら か に し た.

项目成果

Degradation of Charge Collection Efficiency Obtained for 6H-SiC n^+p Diodes Irradiated with Gold Ions

经金离子照射的 6H-SiC n^ p 二极管的电荷收集效率的降低

• 发表时间: 2007
• 期刊: Materials Science Forum 556-557
• 作者: T.Ohshima;T.Satoh;M.Oikawa;S.Onoda;S.Hishiki;T.Hirao;T.Kamiya;T.Yokoyama;A.Sakamoto;R.Tanaka;I Nakano;G.Wagner;H.Itoh
• 通讯作者: H.Itoh

Degradation of Charge Collection Efficiency for 6H-SiC Diodes by Electron Irradiation

电子辐照导致 6H-SiC 二极管电荷收集效率下降

• 发表时间: 2009
• 期刊: Materials Science Forum 600-603
• 作者: N. Iwamoto;S. Onoda;S. Hishiki;T. Ohshima;M. Murakami;I. Nakano;K. Kawano
• 通讯作者: K. Kawano

Transient Response to High Energy Heavy Ions in 6H-SiC n^+p Diodes

6H-SiC n^ p 二极管对高能重离子的瞬态响应

• 发表时间: 2009
• 期刊: Materials Science Forum 600-603
• 作者: S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;S. Hishiki;N. Iwamoto;K. Kojima;K. Kawano
• 通讯作者: K. Kawano

6H-SiCダイオードにおけるイオンビーム誘起電荷量の低下

6H-SiC 二极管中离子束感应电荷的减少

• 发表时间: 2007
• 作者: 小野田忍;岩本直也;大島武;平尾敏雄,河野勝泰
• 通讯作者: 平尾敏雄,河野勝泰

Reduction of Effective Carrier Density and Charge Collection Efficiency in SiC Devices due to Radiations

辐射导致 SiC 器件中有效载流子密度和电荷收集效率降低

• 发表时间: 2009
• 期刊: American Institute of Physics Conference Proceedings 1099
• 作者: S. Onoda;N. Iwamoto;T. Hirao;K. Kawano;K. Kojima;T. Ohshima
• 通讯作者: T. Ohshima