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Induced Charge Evaluation for the Development of Particle Detectors Fabricated on Silicon Carbide

Induced Charge Evaluation for the Development of Particle Detectors Fabricated on Silicon Carbide
碳化硅颗粒探测器开发的感应电荷评估
批准号：
18360458
负责人：
OHSHIMA Takeshi
金额：
$10.85万
依托单位：
Japan Atomic Energy Agency
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360458/
关键词：
放射線理工学耐放射線性検出器炭化ケイ素(SiC)p^+n及びn^+pダイオード電荷収集効率照射損傷非イオン化エネルギー損失n^+pダイオードイオン誘起過渡電流(TIBIC)電荷収集効率(CCE)少数キャリア拡散長イオンビーム誘起過度電流(TIBIC)

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
耐放射線性炭化ケイ素(SiC)粒子検出器開発に必要な基礎データとして、ベータ線、アルファ線及びイオン入射により、SiCダイオードに発生する電荷の収集効率(CCE)を調べた。アルファ線等では、ほぼ100%のCCEを観測しSiCの検出器応用の有効性を実証した。一方、Niのような重イオンではSiCの物性に起因するCCEの低下が見出された。更に、電子線等により損傷を加えたSiCダイオードのCCE低下を調べ、優れた耐性を明らかにした。
英文摘要
耐放射線性炭化ケイ素(SiC)粒子検出器開発に必要な基礎データとして、ベータ線、アルファ線及びイオン入射により、SiCダイオードに発生する電荷の収集効率(CCE)を調べた。アルファ線等では、ほぼ100%のCCEを観測しSiCの検出器応用の有効性を実証した。一方、Niのような重イオンではSiCの物性に起因するCCEの低下が見出された。更に、電子線等により損傷を加えたSiCダイオードのCCE低下を調べ、優れた耐性を明らかにした。
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会议论文
Degradation of Charge Collection Efficiency Obtained for 6H-SiC n^+p Diodes Irradiated with Gold Ions
经金离子照射的 6H-SiC n^ p 二极管的电荷收集效率的降低
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Materials Science Forum 556-557
影响因子： --
作者： [T.Ohshima, T.Satoh, M.Oikawa, S.Onoda, S.Hishiki, T.Hirao, T.Kamiya, T.Yokoyama, A.Sakamoto, R.Tanaka, I Nakano, G.Wagner, H.Itoh]
通讯作者： H.Itoh
Degradation of Charge Collection Efficiency for 6H-SiC Diodes by Electron Irradiation
电子辐照导致 6H-SiC 二极管电荷收集效率下降
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Science Forum 600-603
影响因子： --
作者： [N. Iwamoto, S. Onoda, S. Hishiki, T. Ohshima, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano]
通讯作者： K. Kawano
Transient Response to High Energy Heavy Ions in 6H-SiC n^+p Diodes
6H-SiC n^ p 二极管对高能重离子的瞬态响应
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Science Forum 600-603
影响因子： --
作者： [S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano]
通讯作者： K. Kawano
6H-SiCダイオードにおけるイオンビーム誘起電荷量の低下
6H-SiC 二极管中离子束感应电荷的减少
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [小野田忍, 岩本直也, 大島武, 平尾敏雄,河野勝泰]
通讯作者： 平尾敏雄,河野勝泰
共 24 条
    Control of Photons and Spins of High-Brightness Single Photon Center in Silicon Carbide
    Controlling of Single Photon Source in Silicon Carbide
    • 批准号：
      24656025
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      OHSHIMA Takeshi
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency
    Mechanism of the Destruction of Oxide on Silicon Carbide due to ChargeInduced by Ion Beams
    • 批准号：
      21360471
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.56万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      OHSHIMA Takeshi
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency