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Control of Photons and Spins of High-Brightness Single Photon Center in Silicon Carbide

Control of Photons and Spins of High-Brightness Single Photon Center in Silicon Carbide
碳化硅中高亮度单光子中心的光子和自旋控制
批准号：
26286047
负责人：
OHSHIMA Takeshi
金额：
$10.15万
依托单位：
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (2016)Japan Atomic Energy Agency (2014-2015)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26286047/
关键词：
結晶工学格子欠陥半導体物性光物性放射線

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Creation and Functionalization of Defects in SiC by Irradiation and Thermal Treatment
通过辐照和热处理产生 SiC 缺陷并使其功能化
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov]
通讯作者： G. Astakhov
ESR study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in P-type and Semi-insulating 4H-SiC
P型半绝缘4H-SiC本征缺陷氢钝化的ESR研究
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, and T. Umeda]
通讯作者： and T. Umeda
SiC中の単一発光源となる欠陥の探索
寻找 SiC 中可作为单一光源的缺陷
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [B. C. Johnson, Alex Lohrmann, H. Bowers, J. C. McCallum and Takeshi Ohshima, 大島 武，小野田忍，牧野高紘，岩本直也，B. C. Johnson，A. Lohrmann，T. Karle，J. C. McCallum，S. Castelletto，梅田享英，佐藤嘉洋，朱煜偉，V. Ivády，A. Gali，春山盛善，加田渉，花泉修]
通讯作者： 大島 武，小野田忍，牧野高紘，岩本直也，B. C. Johnson，A. Lohrmann，T. Karle，J. C. McCallum，S. Castelletto，梅田享英，佐藤嘉洋，朱煜偉，V. Ivády，A. Gali，春山盛善，加田渉，花泉修
University of Chicago/Stanford University(米国)
芝加哥大学/斯坦福大学（美国）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 35 条
    Controlling of Single Photon Source in Silicon Carbide
    • 批准号：
      24656025
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      OHSHIMA Takeshi
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency
    Mechanism of the Destruction of Oxide on Silicon Carbide due to ChargeInduced by Ion Beams
    • 批准号：
      21360471
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.56万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      OHSHIMA Takeshi
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency
    Induced Charge Evaluation for the Development of Particle Detectors Fabricated on Silicon Carbide
    • 批准号：
      18360458
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.85万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      OHSHIMA Takeshi
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency
    海外基金