単結晶ベータ鉄シリサイドを用いた冷熱ー電気エネルギー変換の研究

单晶β-硅化铁冷热电能转换研究

• 批准号: 18760228
• 负责人: 鵜殿 治彦
• 金额: $ 2.37万
• 依托单位: Ibaraki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18760228/
• 关键词: β-FeSi_2; 半導体鉄シリサイド; 単結晶; 熱電; 冷熱; 熱電能; n型結晶

β-FeSi_2単結晶を利用し、室温付近以下で利用できる熱電変換素子の開発を目的として、H18年度の研究成果をふまえ本年度は(1)β-FeSi_2単結晶中のp,n不純物添加、(2)低温領域での熱電特性評価を主に行った。その結果得られた成果は次の通りである。(1)の不純物の添加については、純度5N相当の高純度鉄が市販されて入手しやすくなったことから、高純度の鉄とシリコンを原料にして高純度のFeSi_2合金を作り、これを基本に不純物添加による電気特性への影響を基本に立ち戻って行った。その結果、これまでp形、n形両方の報告があるホウ素(B)について、溶液法で成長した結晶中では明確にドナー性不純物として働くことを明らかにした。更に、アクセプター性不純物のZnについてもその固溶度と活性化率を実験的に明らかにした。また、n形低抵抗結晶の成長にも取り組み、Coが高い固溶度で取り込まれること、添加量が5wt%程度と高くなると結晶の成長形態が変わってくることを明らかにした。(2)p形、n形共にキャリアを5-10x10^<19>cm^<-3>の高い濃度で得ることが出来るようになったため、こうした結晶を用いて室温-20Kまでの範囲での低温領域の熱電特性を評価した。その結果、p形結晶ではAlを添加することで200Kから100Kの間の熱電出力因子を約1割増加できることが判った。一方、n形結晶ではCo添加することで無添加のものと比べて室温から200Kの間の熱電出力因子が3倍程度改善できた。また、Bを添加した結晶では100K付近で数mV/Kもの高いゼーベック係数を示し、100K付近で10^<-5>W/cmK^2の高い出力因子を持つことが判った。

The use of β-FeSi_2 single crystals, the use of thermoelectric element exchange below room temperature, the purpose of the research, H18 research results This year, we focused on (1) the addition of p,n impurities in β-FeSi_2 single crystal, and (2) evaluation of thermoelectric properties in the low-temperature field. The result of the result is the result of the result. (1) High-purity iron with added impurities and purity equivalent to 5N Commercially available されてしやすくなったことから, high-purity の鉄とシリコンThe raw materials are high-purity FeSi_2 alloys, and the basic impurities are added to affect the electric properties.そのRESULTS, これまでp-shaped, n-shaped 両squareのreportがあるホウ素(B)について, solution The method of growth is crystal clear and the impurity of the nature is clear. Change the properties of the impurities in ZnZn and the solid solubility and activation rate of Zn.また, n-type low resistance crystal growth にも Take り group み, Co が high solid solubility で 込 ま れ る こ と, Tim The addition amount is 5wt%, and the growth form of the crystal is high. (2) p-type and n-type にキャリアを5-10x10^<19>cm^<-3>の高い densityでgetsることが comes out The thermoelectric properties of るようになったため and こうしたcrystallized with いて room temperature-20K までのfan 囲でのlow temperature field を価した. As a result, the p-type crystal was added to the thermoelectric output factor of 200K and 100K, and the thermoelectric output factor was about 1. On the one hand, the thermoelectric output factor of the n-type crystal is improved by about 3 times compared to the room temperature of 200K and the thermoelectric output factor of the non-added Co.また、BをAdded したCrystal では100K pays close to several mV/Kもの高いゼーベック coefficient shows , 100K pays close to 10^<-5>W/cmK^2 and has a high output factor.

项目成果

MBE法による各種面方位状へのβ-FeSi2ホモエピタキシャル成長

MBE法在不同面方向上同质外延生长β-FeSi2

• 发表时间: 2007
• 作者: 桂 誠一郎;大石 潔;大内真二・若谷一平・鵜殿治彦・山田洋一・山本博之・江坂文孝
• 通讯作者: 大内真二・若谷一平・鵜殿治彦・山田洋一・山本博之・江坂文孝