Untersuchung des Ausheilverhaltens von Gitterlücken und verwandten Defekten in elektronenbestrahltem Siliziumkarbid mit magneto-optischen Methoden

Nach Bestrahlung von SiC mit hochenergetischen Teilchen and nachfolgengenthermischer bestrahlendefkten äußerst稳定folgeproduckte， die z.t elektrisch活跃性。(1)离子着床过程的动力学过程。Die Ausheilprozesse, Die zur Bildung dieser Defekte fhren, sinch noch weitgehend ungeklärt and sollen in Rahmen dieses Projektes untersucht werden。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国Gleichartig是一种特殊的温度测量方法。handserer Probenserien soll die microskopische strucktura entstandenen strahlendefkte and ihrer folgeproduckte mit电子顺磁共振，光致发光，磁法zirkulardichrismus Absorption和光学检测器EPR aufgeklärt werden， and es soll verfoltwerden, and the die defktstrucktura bem aushelen verändert。Der Einfluß von grunddotiung and polytype aufentsteende Defekte and re . Ladungszustände soli dabei systematisch untersucht werden, indem Probenserien verschiedener Ausgangsmaterialien (Wafer) angertitigt werden。

Nach Bestrahlung von SiC mit hochenergetischen Teilchen und nachfolgender thermischer Behandlung entstehen aus den primären Strahlendefekten äußerst stabile Folgeprodukte, die z.T. elektrisch aktiv sind. Solche Defekte entstehen unvermeidlich bei der in SiC notwendigen Dotierung durch Ionenimplantation mit nachfolgender Temperung. Die Ausheilprozesse, die zur Bildung dieser Defekte führen, sind noch weitgehend ungeklärt und sollen im Rahmen dieses Projektes untersucht werden. Durch hochenergetische Elektronenstrahlung und geschickte Wahl der Elektronenenergie sollen gezielt Lücken auf dem Silizium- und dem Kohlenstoffuntergitter erzeugt werden. Gleichartig bestrahlte Proben sollen in verschiedenen Temperaturstufen ausgeheilt werden. Anhand dieser Probenserien soll die mikroskopische Struktur der entstandenen Strahlendefekte und ihrer Folgeprodukte mit Elektronen-paramagnetischer Resonanz, Photolumineszenz, Magnetischem Zirkulardichroismus der Absorption und optisch detektierter EPR aufgeklärt werden, und es soll verfolgt werden, wie sich die Defektstruktur beim Ausheilen verändert. Der Einfluß von Grunddotierung und Polytyp auf entstehende Defekte und ihre Ladungszustände soll dabei systematisch untersucht werden, indem Probenserien verschiedener Ausgangsmaterialien (Wafer) angefertigt werden.