Untersuchung des Ausheilverhaltens von Gitterlücken und verwandten Defekten in elektronenbestrahltem Siliziumkarbid mit magneto-optischen Methoden

使用磁光方法研究电子辐照碳化硅晶格间隙和相关缺陷的退火行为

• 批准号: 5357640
• 负责人: Professor Dr. Siegmund Greulich-Weber
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Materialien für die Photonik und Optoelektronik Magnetische Resonanzspektroskopie (aufgelöst)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5357640?language=en
• 关键词: Untersuchung; des; Ausheilverhaltens; von; Gitterl

Nach Bestrahlung von SiC mit hochenergetischen Teilchen und nachfolgender thermischer Behandlung entstehen aus den primären Strahlendefekten äußerst stabile Folgeprodukte, die z.T. elektrisch aktiv sind. Solche Defekte entstehen unvermeidlich bei der in SiC notwendigen Dotierung durch Ionenimplantation mit nachfolgender Temperung. Die Ausheilprozesse, die zur Bildung dieser Defekte führen, sind noch weitgehend ungeklärt und sollen im Rahmen dieses Projektes untersucht werden. Durch hochenergetische Elektronenstrahlung und geschickte Wahl der Elektronenenergie sollen gezielt Lücken auf dem Silizium- und dem Kohlenstoffuntergitter erzeugt werden. Gleichartig bestrahlte Proben sollen in verschiedenen Temperaturstufen ausgeheilt werden. Anhand dieser Probenserien soll die mikroskopische Struktur der entstandenen Strahlendefekte und ihrer Folgeprodukte mit Elektronen-paramagnetischer Resonanz, Photolumineszenz, Magnetischem Zirkulardichroismus der Absorption und optisch detektierter EPR aufgeklärt werden, und es soll verfolgt werden, wie sich die Defektstruktur beim Ausheilen verändert. Der Einfluß von Grunddotierung und Polytyp auf entstehende Defekte und ihre Ladungszustände soll dabei systematisch untersucht werden, indem Probenserien verschiedener Ausgangsmaterialien (Wafer) angefertigt werden.

在SiC的高能量热辐射和低温度热处理过程中，从最基本的热辐射装置开始，热处理产品是稳定的。电气股份公司通过离子注入和随后的回火，可以使SiC的缺陷消失。Die Ausheilprozesse，die zur Bildung dieser Defekte führen，sind noch weitgehire ungeklärt und sollen im Rahmen dieses Projektes untersucht韦尔登。电子能量的高能量电子辐射和高能量Wahl使硅和硅材料的能量吸收韦尔登。Gleichartig bestrahlte Proben sollen in vertebraledenen Temperaturstufen ausgeheilt韦尔登.该方法是利用电子顺磁共振、光致发光、磁锆二色性吸收和EPR光探测技术，对标准的激光器和荧光产品的微结构进行韦尔登探测，并将其作为韦尔登探测器。基础理论和多类型理论对缺陷的影响，以及它们对系统化韦尔登的影响，使得晶圆材料的测试变得更加韦尔登。