Untersuchung des Ausheilverhaltens von Gitterlücken und verwandten Defekten in elektronenbestrahltem Siliziumkarbid mit magneto-optischen Methoden

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Nach Bestrahlung von SiC mit hochenergetischen Teilchen und nachfolgender thermischer Behandlung entstehen aus den primären Strahlendefekten äußerst stabile Folgeprodukte, die z.T. elektrisch aktiv sind. Solche Defekte entstehen unvermeidlich bei der in SiC notwendigen Dotierung durch Ionenimplantation mit nachfolgender Temperung. Die Ausheilprozesse, die zur Bildung dieser Defekte führen, sind noch weitgehend ungeklärt und sollen im Rahmen dieses Projektes untersucht werden. Durch hochenergetische Elektronenstrahlung und geschickte Wahl der Elektronenenergie sollen gezielt Lücken auf dem Silizium- und dem Kohlenstoffuntergitter erzeugt werden. Gleichartig bestrahlte Proben sollen in verschiedenen Temperaturstufen ausgeheilt werden. Anhand dieser Probenserien soll die mikroskopische Struktur der entstandenen Strahlendefekte und ihrer Folgeprodukte mit Elektronen-paramagnetischer Resonanz, Photolumineszenz, Magnetischem Zirkulardichroismus der Absorption und optisch detektierter EPR aufgeklärt werden, und es soll verfolgt werden, wie sich die Defektstruktur beim Ausheilen verändert. Der Einfluß von Grunddotierung und Polytyp auf entstehende Defekte und ihre Ladungszustände soll dabei systematisch untersucht werden, indem Probenserien verschiedener Ausgangsmaterialien (Wafer) angefertigt werden.