Epitaxial growth of aligned single-walled carbon nanotubes on single crystalline surfaces

单晶表面上定向单壁碳纳米管的外延生长

基本信息

批准号：
18681020
负责人：
HIROKI Ago
金额：
$ 19.05万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

単層カーボンナノチューブは、その優れた電子物性と規則的な一次元ナノ構造から将来のナノエレクトロニクスへの応用が期待されている。本研究では、我々が見出したサファイア単結晶基板上での水平配向成長を発展させることを目的として、配向メカニズム、ナノチューブの構造への影響、そしてデバイスの作製と評価を中心に検討を行った。その結果、サファイアの結晶面に依存した直径・カイラリティ分布の変化、一方向への配向成長といった基礎的に重要な知見を得るとともに、デバイス応用への有用性を実験的に示すことができた。

由于其出色的电子性能和常规的一维纳米结构，预计单壁碳纳米管预计将应用于未来的纳米电子产品。在这项研究中，我们专注于定向机制，纳米管结构的影响以及设备的制造和评估，目的是开发我们发现的蓝宝石单晶基板的水平方向生长。结果，我们获得了基本的重要知识，例如直径变化和手性分布，具体取决于蓝宝石的晶体平面，一个方向的定向生长，并在实验上证明了其在设备应用中的有用性。

项目成果

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Growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes on surface modified silicon substrate

表面改性硅衬底上水平排列单壁碳纳米管的生长

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
吉原直記;他
通讯作者：
他

Mechanical Immobilization of Hela Cells on aligned carbon nanotube array

Hela 细胞在排列的碳纳米管阵列上的机械固定化

DOI：
发表时间：
2006
期刊：
Materials Letters 60 (29-30)
影响因子：
0
作者：
H. Ago;N. Uehara;K.Ikeda;R. Ohdo;K. Nakamura;and M. Tsuji;吾郷浩樹;H.Ago 他;A.Nakamura 他;X.Zhang 他;H.Ago 他;H.Ago 他
通讯作者：
H.Ago 他

表面処理したシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長

单壁碳纳米管在表面处理的硅基底上水平定向生长