Epitaxial growth of aligned single-walled carbon nanotubes on single crystalline surfaces
Epitaxial growth of aligned single-walled carbon nanotubes on single crystalline surfaces
单晶表面上定向单壁碳纳米管的外延生长
批准号：
18681020
负责人：
HIROKI Ago
金额：
$19.05万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
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英文摘要
単層カーボンナノチューブは、その優れた電子物性と規則的な一次元ナノ構造から将来のナノエレクトロニクスへの応用が期待されている。本研究では、我々が見出したサファイア単結晶基板上での水平配向成長を発展させることを目的として、配向メカニズム、ナノチューブの構造への影響、そしてデバイスの作製と評価を中心に検討を行った。その結果、サファイアの結晶面に依存した直径・カイラリティ分布の変化、一方向への配向成長といった基礎的に重要な知見を得るとともに、デバイス応用への有用性を実験的に示すことができた。
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Mechanical Immobilization of Hela Cells on aligned carbon nanotube array
Hela 细胞在排列的碳纳米管阵列上的机械固定化
Hela 细胞在排列的碳纳米管阵列上的机械固定化
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Materials Letters 60 (29-30)
影响因子：
--
作者：
[H. Ago, N. Uehara, K.Ikeda, R. Ohdo, K. Nakamura, and M. Tsuji, 吾郷浩樹, H.Ago 他, A.Nakamura 他, X.Zhang 他, H.Ago 他, H.Ago 他]
通讯作者：
H.Ago 他
Growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes on surface modified silicon substrate
表面改性硅衬底上水平排列单壁碳纳米管的生长
表面改性硅衬底上水平排列单壁碳纳米管的生长
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉原直記, 他]
通讯作者：
他
表面処理したシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長
单壁碳纳米管在表面处理的硅基底上水平定向生长
单壁碳纳米管在表面处理的硅基底上水平定向生长
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉原直記, 他]
通讯作者：
他
ナノカーボンなどのπ電子系物質の電子構造と物性、ならびにデバイス応用
纳米碳等π电子材料的电子结构、物理性质及器件应用
纳米碳等π电子材料的电子结构、物理性质及器件应用
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吾郷浩樹, 他, 吾郷浩樹, 吾郷浩樹]
通讯作者：
吾郷浩樹
単結晶表面によってプログラムされたカーボンナノチューブの配向成長
单晶表面编程的碳纳米管定向生长
单晶表面编程的碳纳米管定向生长
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吾郷浩樹, 他, 吾郷浩樹, 吾郷浩樹, 吾郷浩樹]
通讯作者：
吾郷浩樹
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