Formation and Characterization of Germanium Two-Dimensional Crystal on Insulating Substrate
绝缘基底上锗二维晶体的形成及表征
基本信息
- 批准号:19H02169
- 负责人:
- 金额:$ 10.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(18)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析
通过基板加热控制 Al/Ge(111) 的结晶度和平坦度以及通过热处理控制 Ge 表面偏析
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:松下 圭吾;大田 晃生;林 将平;田岡 紀之;牧原 克典;宮﨑 誠一
- 通讯作者:宮﨑 誠一
「光電子分光(XPS, UPS)」、 2020版薄膜作製応用ハンドブック
《光电子能谱(XPS、UPS)》2020年版薄膜制造应用手册
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:宮﨑誠一;大田晃生
- 通讯作者:大田晃生
ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 ~二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開~ 第3章 二次元ナノシートの成膜プロセシング技術 第4節 共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシートの形成技術
后石墨烯材料创制与应用发展最前沿——二维纳米片的物性评价、结构分析、合成、成膜工艺技术及应用开发——第三章二维纳米片成膜加工技术第四节 共晶体系中产生的利用沉淀现象的IV族纳米片的形成技术
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Ohta;M. Ikeda;K. Makihara;and S. Miyazaki;(分担執筆) 黒澤 昌志/大田 晃生 (監修者) 柚原淳司,
- 通讯作者:(分担執筆) 黒澤 昌志/大田 晃生 (監修者) 柚原淳司,
光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価
使用光电子能量损失信号评估硅基材料的复杂介电功能
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大田 晃生;田岡 紀之;池田 弥央;牧原 克典;宮﨑 誠一
- 通讯作者:宮﨑 誠一
Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy
- DOI:10.35848/1347-4065/abb75b
- 发表时间:2020-09
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:A. Ohta;T. Imagawa;N. Taoka;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
- 通讯作者:A. Ohta;T. Imagawa;N. Taoka;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 影响因子:1.6
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- 影响因子:5.5
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Lay Guy Le
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- 作者:
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淺川雅
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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$ 10.98万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 10.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号:
19H02614 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 10.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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