Formation and Characterization of Germanium Two-Dimensional Crystal on Insulating Substrate

绝缘基底上锗二维晶体的形成及表征

基本信息

  • 批准号:
    19H02169
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(18)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析
通过基板加热控制 Al/Ge(111) 的结晶度和平坦度以及通过热处理控制 Ge 表面偏析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松下 圭吾;大田 晃生;林 将平;田岡 紀之;牧原 克典;宮﨑 誠一
  • 通讯作者:
    宮﨑 誠一
「光電子分光(XPS, UPS)」、 2020版薄膜作製応用ハンドブック
《光电子能谱(XPS、UPS)》2020年版薄膜制造应用手册
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮﨑誠一;大田晃生
  • 通讯作者:
    大田晃生
ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 ~二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開~ 第3章 二次元ナノシートの成膜プロセシング技術 第4節 共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシートの形成技術
后石墨烯材料创制与应用发展最前沿——二维纳米片的物性评价、结构分析、合成、成膜工艺技术及应用开发——第三章二维纳米片成膜加工技术第四节 共晶体系中产生的利用沉淀现象的IV族纳米片的形成技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Ohta;M. Ikeda;K. Makihara;and S. Miyazaki;(分担執筆) 黒澤 昌志/大田 晃生 (監修者) 柚原淳司,
  • 通讯作者:
    (分担執筆) 黒澤 昌志/大田 晃生 (監修者) 柚原淳司,
光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価
使用光电子能量损失信号评估硅基材料的复杂介电功能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大田 晃生;田岡 紀之;池田 弥央;牧原 克典;宮﨑 誠一
  • 通讯作者:
    宮﨑 誠一
Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abb75b
  • 发表时间:
    2020-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    A. Ohta;T. Imagawa;N. Taoka;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    A. Ohta;T. Imagawa;N. Taoka;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
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Ohta Akio其他文献

學校教育與日本考古學:初等中等教育的考古活動之歴史及現在
学校教育与日本考古学:中小学教育中考古活动的历史与现状
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景
  • 通讯作者:
    平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景
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  • DOI:
    10.5650/jos.ess19043
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Asakawa Tsuyoshi;Fujii Akina;Yoneda Nodoka;Ohta Akio;Asakawa Hitoshi
  • 通讯作者:
    Asakawa Hitoshi
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  • DOI:
    10.1002/jsde.12180
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    Hossain Faisal;Ohta Akio;Yamane Yumi;Shizuka An-na;Asakawa Hitoshi;Asakawa Tsuyoshi
  • 通讯作者:
    Asakawa Tsuyoshi
Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111)
通过 Ge(111) 上的 Al(111) 薄膜偏析形成单锗烯相
  • DOI:
    10.1088/2053-1583/ac2bef
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5.5
  • 作者:
    Yuhara Junji;Muto Hiroaki;Araidai Masaaki;Kobayashi Masato;Ohta Akio;Miyazaki Seiichi;Takakura Sho-ichi;Nakatake Masashi;Lay Guy Le
  • 通讯作者:
    Lay Guy Le
原子間力顕微鏡による固液界面現象の原子・分子スケールその場観察
使用原子力显微镜在原子和分子尺度上原位观察固液界面现象
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;淺川雅
  • 通讯作者:
    淺川雅

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Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
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    2020
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    $ 10.98万
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    2018
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    $ 10.98万
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    2015
  • 资助金额:
    $ 10.98万
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    2022
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蓝宝石毛细管超短脉冲激光/金刚石加工能力增强及工艺环节优化
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    21H01231
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 10.98万
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表面活化键合法室温键合金属氧化膜
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    20K14629
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    2020
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    20H01913
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    2020
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of a new parasitic oscillation suppression method by laser nano processing
激光纳米加工抑制寄生振荡新方法的研究
  • 批准号:
    20K15200
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 10.98万
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  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    2019
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    2018
  • 资助金额:
    $ 10.98万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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晶圆状大尺寸六方氮化硼单晶制造基本工艺的开发
  • 批准号:
    18K04231
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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