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Research on operation mechanism of organic transistors investigated by in situ and real time measurement of electronic states and morphology

Research on operation mechanism of organic transistors investigated by in situ and real time measurement of electronic states and morphology
原位实时测量电子态和形貌研究有机晶体管工作机理
批准号：
19360004
负责人：
SAIKI Koichiro
金额：
$12.15万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360004/
关键词：
有機トランジスタ移動度薄膜成長表面エネルギーペンタセンフラレンセキシチオフェン電子分光電界効果トランジスタ両極性自己組織化膜オリゴチオフェンフタロシアニングラフォエピタキシー光電子分光電界効果移動度電荷注入障壁ペンクセンLEEM,PEEM

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有機薄膜デバイスの特性向上のためには,実デバイス構造においてのトランジスタ特性と表面形態,表面電子状態の相関を解明することが重要である.われわれが開発した紫外光電子分光とトランジスタ特性を同時に測定することのできる装置を用いて有機トランジスタの電荷極性,電界効果移動度と,価電子状態を詳細に測定した結果,有機半導体のギャップ内における電極金属のフェルミ準位の位置により電荷極性および移動度が決まることがわかった.
英文摘要
有機薄膜デバイスの特性向上のためには,実デバイス構造においてのトランジスタ特性と表面形態,表面電子状態の相関を解明することが重要である.われわれが開発した紫外光電子分光とトランジスタ特性を同時に測定することのできる装置を用いて有機トランジスタの電荷極性,電界効果移動度と,価電子状態を詳細に測定した結果,有機半導体のギャップ内における電極金属のフェルミ準位の位置により電荷極性および移動度が決まることがわかった.
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会议论文
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通讯作者： 斉木幸一朗
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发表时间： 2008
期刊： Appl.Phys.Lett. 93
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通讯作者： K. Inaba
Control of organic film growth by physical and chemical modification of substrate
通过基材的物理和化学改性控制有机薄膜的生长
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Hideo Isshiki, Takayuki Nakajima and Tadamasa Kimura, K.Saiki]
通讯作者： K.Saiki
共 58 条
    Improvement of organic device performance via physical and chemical control of metal - organic semiconductor interfaces
    • 批准号：
      21360005
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.06万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      SAIKI Koichiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Fabrication of novel functional surfaces through ionic crystal / semiconductor heterostructurse and their properties
    • 批准号：
      09450006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.9万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      SAIKI Koichiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Investigation on heteroepitaxy of I-VII compounds and their surface propeties
    • 批准号：
      07455002
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.61万
    • 财政年份：
      1995
    • 负责人：
      SAIKI Koichiro
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金