Improvement of organic device performance via physical and chemical control of metal - organic semiconductor interfaces

通过金属-有机半导体界面的物理和化学控制提高有机器件性能

• 批准号: 21360005
• 负责人: SAIKI Koichiro
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360005/
• 关键词: 有機トランジスタ; ペンタセン; セキシチオフェン; グラフェン電極; 電界効果; 化学修飾; 溶液プロセス; スピンコート; 酸化グラフェン; 界面準位; グラフォエピタキシー; カーボンナノウォール; 原子間力顕微鏡; SiO_2表面

We explored a novel method to improve the performance of organic field effect transistors (FETs) by controlling the interface between the metal electrode and the organic semiconductor. Thin film growth of sexithiophene from the Au electrode induced the single crystalline growth in the narrow channel, improving the FET mobility. We established the method to form the graphene-based electrodes on the gate dielectric in a solution process and proved that the solution processed pentacene film on it worked as a high mobility FET.

我们探索了一种通过控制金属电极与有机半导体之间的界面来改善有机场效应晶体管（FET）性能的新方法。从Au电极上生长的六噻吩薄膜诱导了窄沟道中的单晶生长，提高了FET的迁移率。我们建立了在溶液工艺中在栅极电介质上形成石墨烯基电极的方法，并证明了在其上的溶液处理的并五苯膜作为高迁移率FET工作。

项目成果

低速電子顕微鏡によるペン タセン成長過程のリアルタイム観察

使用低速电子显微镜实时观察并五苯生长过程

• 发表时间: 2011
• 作者: T. Sasaki;O. Hashizume;T. Iwato;A. Emoto;N. Kawatsuki;H. Ono;S.Yamazaki;斉木幸一朗
• 通讯作者: 斉木幸一朗

The nucleation and anisotropic growth of Pn on SiO2 & FET structures

Pn在SiO2上的成核和各向异性生长

• 发表时间: 2010
• 作者: H. Yoshida;K. Kawamoto;Y. Tanaka;H. Kubo;A. Fujii and M. Ozaki;Al-Mahboob
• 通讯作者: Al-Mahboob

周期溝基板上でのα-sexithiopheneの核生成および成長機構の探索

探索α-六噻吩在周期性凹槽基底上的成核和生长机制

• 发表时间: 2010
• 作者: 金森由男;池田進;和田恭雄;斉木幸一朗
• 通讯作者: 斉木幸一朗

透明グラフェン薄膜をゲート電極とした塗布型有機薄膜トランジスタの作製

采用透明石墨烯薄膜作为栅电极的涂层有机薄膜晶体管的制备

• 发表时间: 2010
• 作者: 菅沼洸一;吉田雅史;斉木幸一朗;後藤拓也;上野啓司
• 通讯作者: 上野啓司

α-sexithiophene のグラフォエピタキシー-細長グレインの成長-

α-六噻吩的图形外延-细长颗粒的生长-

• 发表时间: 2009
• 作者: 冬木琢真;柏山祥太;富永依里子;尾江邦重;吉本昌広;金森由男
• 通讯作者: 金森由男