Epitaxial growth and fabrication of microcavities by the helicon-wave-excited-plasma sputtering method

螺旋波激发等离子体溅射法外延生长和微腔制造

基本信息

  • 批准号:
    19360137
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

A cavity polariton laser is attracting attention as a new generation coherent light source composed of a semiconductor microcavity. In the present research, epitaxial growth of single crystalline ZnO and MgZnO films exhibiting atomically flat surfaces and abrupt heterointerfaces was carried out using an uniquely designed 'helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy (HWPSE)' method, in order to assess if ZnO microcavities can be prepared by the method. The epilayer properties resemble those of the films grown using conventional advanced epitaxial growth methods such as molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy. In addition, anatase phase Nb-doped TiO_2 films, a new transparent conducting oxide having the refractive index close to GaN, were epitaxially grown. The findings that those new functional semiconductor epilayers can be grown by the inexpensive HWPSE method may cut open the way to fabricate semiconductor heterostructure quantum devices at a low price.
腔偏振激元激光器作为由半导体微腔组成的新一代相干光源正引起人们的关注。在本研究中,单晶ZnO和MgZnO薄膜的外延生长表现出原子级平坦的表面和突然的异质界面进行了使用独特设计的“螺旋波激发等离子体溅射外延(HWPSE)”的方法,以评估是否可以通过该方法制备ZnO微腔。外延层的性质类似于那些使用传统的先进的外延生长方法,如分子束外延和金属有机气相外延生长的薄膜。此外,还外延生长了折射率接近GaN的新型透明导电氧化物-铌掺杂二氧化钛薄膜。这些新的功能半导体外延层可以通过廉价的HWPSE方法生长的发现可能开辟了以低价格制备半导体异质结构量子器件的途径。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ZnO系半導体の発光寿命と結晶欠陥の関係
ZnO基半导体发光寿命与晶体缺陷的关系
Preparation of Ga doped ZnO thin films by helicon-wave-excited plasma sputtering
螺旋波激发等离子体溅射制备Ga掺杂ZnO薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Takahata;K. Saiki;T. Imao;H. Nakanishi;M. Sugiyama;S. F. Chichibu;H.Amaike;S.Takahata;S.Masaki;S. Takahata;S. Masaki
  • 通讯作者:
    S. Masaki
Ga-doped ZnO transparent conducting films prepared by helicon-wave-excited plasma sputtering
螺旋波激发等离子体溅射制备Ga掺杂ZnO透明导电薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Masaki;H. Nakanishi;M. Sugiyama;S. F. Chichibu
  • 通讯作者:
    S. F. Chichibu
Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire
高温退火自缓冲层对a面蓝宝石螺旋波激发等离子体溅射外延生长ZnO外延层性能改善的影响
ヘリコン波励起プラズマ法により成長した窓層を用いたバッファレスCIGS太陽電池の試作
使用螺旋波激发等离子体法生长窗口层的无缓冲 CIGS 太阳能电池原型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    秩父重英;澤井泰;天池宏明;羽豆耕治;澤井泰;秩父重英;佐藤友昭
  • 通讯作者:
    佐藤友昭
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2004
  • 资助金额:
    $ 10.65万
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  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 10.65万
  • 项目类别:
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{{ showInfoDetail.title }}

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