Modification of the bandgap of hexagonal BN and deep-ultraviolet luminescence dynamics of excitons in them
Modification of the bandgap of hexagonal BN and deep-ultraviolet luminescence dynamics of excitons in them
批准号:
20K20993
负责人:
CHICHIBU Shigefusa
金额:
$4.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-07-30 至 2023-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(20)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測
阴极射线激发观察单层六方氮化硼的带边发射
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[嶋紘平, Tin S. Cheng, Christopher J. Mellor, Peter H. Benton, Christine Elias, Bernard Gil, Guillaume Cassabois, Sergei V. Novikov, 秩父重英]
通讯作者:
秩父重英
コールドウォール反応管を用いる六方晶窒化ホウ素薄膜の減圧CVDにおける原料供給量依存性
使用冷壁反应管低压CVD六方氮化硼薄膜时原料供给量的依赖性
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[増田 克仁, 渡邊 泰良, 田中 佑樹, 吉岡 陸, 大石 泰己, 増田 希良里, 小南 裕子, 原 和彦]
通讯作者:
原 和彦
六方晶窒化ホウ素薄膜の減圧CVDにおける原料ガス導入タイミング
六方氮化硼薄膜低压CVD原料气体导入时机
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉岡 陸, 田中 佑樹, 渡邊 泰良, 増田 克仁, 大石 泰己, 増田 希良里, 小南 裕子, 原 和彦]
通讯作者:
原 和彦
時間空間分解カソードルミネッセンス法によるワイドバンドギャップ窒化物半導体の評価
使用时空分辨阴极发光法评估宽带隙氮化物半导体
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小山 陽太, 尾崎 信彦, 小田 久哉, 池田 直樹, 杉本 喜正, 秩父重英]
通讯作者:
秩父重英
東北大学 多元物質科学研究所 秩父研究室HP
东北大学综合材料科学研究所秩父实验室HP
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 15 条
Development of a spatio-time-resolved cathodoluminescence spectroscopy technique applicable for wide bandgap semiconductors through the generation and focusing of high-brightness femtosecond pulsed photoelectron beams
-
批准号:23656206
-
项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额:$2.5万
-
财政年份:2011
-
负责人:CHICHIBU Shigefusa
-
依托单位:
Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of polariton laser structures for room temperature operation
-
批准号:22246037
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额:$30.04万
-
财政年份:2010
-
负责人:CHICHIBU Shigefusa
-
依托单位:
Epitaxial growth and fabrication of microcavities by the helicon-wave-excited-plasma sputtering method
-
批准号:19360137
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$10.65万
-
财政年份:2007
-
负责人:CHICHIBU Shigefusa
-
依托单位:
Development of oxide semiconductor and dielectric electronics using helicon-wave-excited-plasma sputtering methods
-
批准号:16360146
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$6.14万
-
财政年份:2004
-
负责人:CHICHIBU Shigefusa
-
依托单位:
海外基金