Development of particle detector with radiation hardness using wide-gap nitride semiconductor
Development of particle detector with radiation hardness using wide-gap nitride semiconductor
使用宽禁带氮化物半导体开发具有辐射硬度的粒子探测器
批准号：
19540254
负责人：
NARITA Shinya
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
本研究では、将来の素粒子実験分野での実用の観点から、放射線損傷に対して高い耐性を持つと考えられているワイドギャップ窒化物半導体を用いた放射線検出器開発を行った。代表的な窒化物半導体であるGaN、AlGaNおよびInGaN材料を用いて、検出器の基本素子となるダイオードを作製し、その性能を評価した。その結果、ワイドギャップ半導体の特徴である高温での安定動作が確認された。さらにGaN ダイオードにおいて重荷電粒子の検出に成功した。また、素子に陽子線を入射して放射線耐性を調査したところ、10^16p/cm^2程度の高フルエンスに対しても、極端な性能劣化は見られず、同材料の高放射線耐性が実証された。
英文摘要
本研究では、将来の素粒子実験分野での実用の観点から、放射線損傷に対して高い耐性を持つと考えられているワイドギャップ窒化物半導体を用いた放射線検出器開発を行った。代表的な窒化物半導体であるGaN、AlGaNおよびInGaN材料を用いて、検出器の基本素子となるダイオードを作製し、その性能を評価した。その結果、ワイドギャップ半導体の特徴である高温での安定動作が確認された。さらにGaN ダイオードにおいて重荷電粒子の検出に成功した。また、素子に陽子線を入射して放射線耐性を調査したところ、10^16p/cm^2程度の高フルエンスに対しても、極端な性能劣化は見られず、同材料の高放射線耐性が実証された。
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III族窒化物半導体素子の特性測定と放射線耐性評価
III族氮化物半导体器件的特性测量和耐辐射性评估
III族氮化物半导体器件的特性测量和耐辐射性评估
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[千葉祐宜, 成田晋也, 一瀬大介, 山田弘, 人羅俊美, 山口栄一, 酒見康寛, 伊藤正俊, 吉田英智, 笠木次郎太]
通讯作者：
笠木次郎太
Radiation Hardness Test of GaN Diode for Irradiation with High Energy Electron Beam
GaN二极管高能电子束辐照辐射硬度测试
GaN二极管高能电子束辐照辐射硬度测试
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Research Report of Laboratory of Nuclear Science Vol.40
影响因子：
--
作者：
[S.Narita, Y.Yamaguchi, Y.Chiba, H.Yuki, H.Hinode, and J.Kasagi]
通讯作者：
and J.Kasagi
窒化ガリウム系半導体を用いた荷電粒子検出器
使用氮化镓半导体的带电粒子检测器
使用氮化镓半导体的带电粒子检测器
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Performance of GaN Ionizing Detector and Its Radiation Hardness
GaN电离探测器的性能及其抗辐射强度
GaN电离探测器的性能及其抗辐射强度
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Narita, Y.Chiba, D.Ichinose, T.Hitora, E.Yamaguchi, Y.Sakemi, M.Itoh, H.Yoshida, J.Kasagi]
通讯作者：
J.Kasagi
窒化ガリウム系半導体材料を用いた荷電粒子検出器
采用氮化镓半导体材料的带电粒子探测器
采用氮化镓半导体材料的带电粒子探测器
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 7 条
Development of particle detector using a new generation compound
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批准号：21540292
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2009
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负责人：NARITA Shinya
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依托单位：
海外基金