Two-dimensional, hybridly integrable vertical-cavity surface-emitting laser arrays for massively parallel optical interconnections

用于大规模并行光学互连的二维混合可集成垂直腔表面发射激光器阵列

• 批准号: 5360870
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Rainer Michalzik
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Funktionelle Nanosysteme
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5360870?language=en
• 关键词: Two; dimensional; hybridly; integrable; vertical

Bedingt durch die fortwährende Steigerung der Taktfrequenzen digitaler elektronischer Systeme sowie der zu übertragenden Datenmengen ist ein vermehrter Einsatz optischer Übermittlungsverfahren über zunehmend kürzere Distanzen zu beobachten. In diesem Projekt sollen zweidimensionale Vertikallaserarrays für Emission bei 850 nm realisiert werden, wobei deren direkte Flip-Chip-Integrierbarkeit mit elektronischen Schaltkreisen die Basis für hochgradig kompakte, massiv parallele Kurzstrecken-Sendemodule der Zukunft bildet. Neben alternativen technologischen Verfahren zur Strahlungsauskopplung in Richtung des absorbierenden GaAs-Substrats soll ein zuverlässiges Lötverfahren zur hybriden Array-Integration etabliert werden. Begleitend hierzu werden Simulationen insbesondere des thermischen Verhaltens, Studien zur Skalierbarkeit in Richtung kleiner Rastermaße sowie Optimierungen und Messungen der Hochfrequenzeigenschaften vorgenommen, wobei Datenraten von 10 Gbit/s pro Kanal anzustreben sind. Der Problematik defektbedingt verringerter Ausbeute bei der Herstellung und dem Betrieb vielkanaliger Arrays wird mit neuartigen Designs begegnet, welche mehrere, alternativ zu betreibende Laser pro Arraypixel mit dem Ziel einer Strahleinkopplung in identische Wellenleiter vorsehen.

在此基础上，我们建立了一套完整的数字电力系统，并在此基础上实现了最大的优化目标。在Diesem Projekt Sollen zweiDimensionale Vertikallaser阵列中，发射了850 nm的真实感，而我们的倒装芯片直接指向MIT Electrktronischen Schaltkreisen die base für hochgradigkompakte，massiv Paralle Kurzstrecken-Sendemodule der Zukunft bildet。我们采用了一种新的技术，那就是在吸收的砷化镓衬底上采用一种新的技术，即L的混合阵列集成技术。最开始的是在Kleiner Rastermaée Sowie Optimierungen和Messungen der Hochfreenzeigenschaften Vgenomman的基础上，从10Gbit/S专业的Kanal anzustreben Sind中学习和学习。有问题的是，他们击败了来自Herstellung和DEM Betrieb vielkaliger阵列的传感器阵列，开始了MIT的中性设计，很好地解决了这一问题，另一种方法是利用MIT的另一种激光阵列来识别Wellenleiter Vorsehenen。