AuSn bumping process using hydrogen plasma
AuSn bumping process using hydrogen plasma
使用氢等离子体的 AuSn 凸点工艺
批准号：
19560337
负责人：
HIGURASHI Eiji
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
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英文摘要
本研究では、低コストな金錫(AuSn)微小はんだバンプ(50μm 以下)形成プロセスの確立を目指し、ガスアトマイズ法で作製された微細な金錫(AuSn)はんだ粒子(5μm以下)と水素ラジカルリフローを組み合わせた微小バンプ形成プロセスを提案、実証した。さらに、モールドに微細はんだ粒子を充填し、水素ラジカルリフローを行うことで、微小はんだボールを一括形成し、このボールをチップに表面活性化接合により転写することで微小バンプを一括形成することにも成功した。
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微細はんだ粒子を充填したシリコンモールドと水素ラジカルリフローを用いた微小はんだボール形成
使用填充有微焊料颗粒的硅模具和氢自由基回流形成微焊球
使用填充有微焊料颗粒的硅模具和氢自由基回流形成微焊球
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
第23回エレクトロニクス実装学会講演大会講演論文集 13A-10
影响因子：
--
作者：
[茅野大祐, 日暮栄治, 須賀唯知]
通讯作者：
須賀唯知
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daiske Chino, Eiji Higurashi, and Tadatomo Suga]
通讯作者：
and Tadatomo Suga
Residue-free solder bumping using small AuSn particles by hydrogen radicals
通过氢自由基使用小 AuSn 颗粒进行无残留焊料凸块
通过氢自由基使用小 AuSn 颗粒进行无残留焊料凸块
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
IEICE Transactions on Electronics E92-C
影响因子：
--
作者：
[Eiji Higurashi, Daisuke Chino, Tadatomo Suga]
通讯作者：
Tadatomo Suga
Hydrogen radicalreflow characteristics of small AuSnparticles, Proc
小金锡粒子的氢自由基回流特性，Proc
小金锡粒子的氢自由基回流特性，Proc
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
International Conference on Electronics Packaging(ICEP) 10-12
影响因子：
--
作者：
[Daiske Chino, Eiji Higurashi, and Tadatomo Suga]
通讯作者：
and Tadatomo Suga
Hydrogen radical reflow characteristics of small AuSn particles
小AuSn颗粒的氢自由基回流特性
小AuSn颗粒的氢自由基回流特性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daiske Chino, Eiji Higurashi, Tadatomo Suga]
通讯作者：
Tadatomo Suga
共 8 条
Surface activated bonding of GaN and its application for optical devices
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批准号：17360155
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$6.14万
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财政年份：2005
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负责人：HIGURASHI Eiji
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依托单位：
海外基金